[發明專利]在多晶CZT上沉積DLC膜的方法及CZT半導體探測器

有效

• 申請號: 201510583996.8
• 申請日: 2015-09-14
• 公開（公告）號: CN105220112B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 廖斌;歐陽曉平;王宇東;吳先映;張旭;羅軍
• 申請（專利權）人: 北京師范大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/32;H01L31/18;H01L31/115;H01L31/0296
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司11453
• 代理人: 李冬梅,苗源

1.一種在多晶碲鋅鎘上沉積類金剛石碳膜的方法，其特征在于，包括：

采用磁過濾陰極真空弧沉積方法，在多晶碲鋅鎘的晶體表面沉積第一層類金剛石碳膜；

在所述第一層類金剛石碳膜之上，采用磁過濾陰極真空弧沉積方法沉積用于釋放內應力的薄膜過渡層，在所述第一層類金剛石碳膜和所述薄膜過渡層之間，采用金屬離子源注入方法注入金屬鈦層；該薄膜過渡層為聚酰亞胺膜或氧化鋁膜層；

在所述薄膜過渡層之上，采用磁過濾陰極真空弧沉積方法沉積第二層類金剛石碳膜。

2.根據權利要求1所述的在多晶碲鋅鎘上沉積類金剛石碳膜的方法，其特征在于，所述磁過濾陰極真空弧沉積方法利用雙管180度磁過濾沉積方式。

3.根據權利要求2所述的在多晶碲鋅鎘上沉積類金剛石碳膜的方法，其特征在于，

在沉積所述第一層類金剛石碳膜時，采用的靶材為碳陰極，起弧電流90A，彎管磁場2.0A，束流50mA，順序采用負壓-800V、-600V、-400V、及-300V進行沉積；和/或，

在沉積所述第二層類金剛石碳膜時，采用的靶材為碳陰極，起弧電流90A，彎管磁場2.0A，起弧電流90A，彎管磁場2.0A，負壓-300V，沉積時間15min，占空比為20％。

4.根據權利要求3所述的在多晶碲鋅鎘上沉積類金剛石碳膜的方法，其特征在于，在沉積所述氧化鋁膜層時，采用的靶材為Al陰極，起弧電流90A，彎管磁場2.0A，氧氣流量50sccm。

5.根據權利要求4所述的在多晶碲鋅鎘上沉積類金剛石碳膜的方法，其特征在于，所述第一層類金剛石碳膜的厚度為80-120nm，所述氧化鋁膜層層的厚度為20-30nm，所述第二層類金剛石碳膜的厚度為0-370nm。

6.根據權利要求5所述的在多晶碲鋅鎘上沉積類金剛石碳膜的方法，其特征在于，所述金屬鈦層的注入條件包括：注入電壓8KV ，注入束流5mA，注入劑量1000mC。

7.一種碲鋅鎘半導體探測器，其特征在于，設置有采用權利要求1至6任一項所述的在多晶碲鋅鎘上沉積類金剛石碳膜的方法制備而成的多晶碲鋅鎘。