[發明專利]激光二極管裝置

在審

• 申請號: 201510583595.2
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN105207052A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 艾爾弗雷德·萊爾;森克·陶茨;烏韋·施特勞斯;克萊門斯·菲爾海利希
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/024;H01S5/028
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.激光二極管裝置，具有：

殼體(1)，所述殼體具有殼體部件(10)和與所述殼體部件(10)連接的裝配件(11)，所述裝配件沿著延伸方向(110)遠離所述殼體部件(10)地延伸；以及

在所述裝配件(11)上的激光二極管芯片(2)，所述激光二極管芯片在襯底(20)上具有半導體層，所述半導體層帶有用于射出光的有源層(23)，

其中，

在所述激光二極管芯片(2)和所述裝配件(11)之間設置有第一焊料層(3)，所述第一焊料層具有大于或等于2μm的厚度，并且所述激光二極管芯片(2)具有輻射耦合輸出面(27)，在所述輻射耦合輸出面上施加有結晶保護層(6)。

2.激光二極管裝置，具有：

殼體(1)，所述殼體具有殼體部件(10)和與所述殼體部件(10)連接的裝配件(11)，所述裝配件沿著延伸方向(110)遠離所述殼體部件(10)地延伸；以及

在所述裝配件(11)上的激光二極管芯片(2)，所述激光二極管芯片在襯底(20)上具有半導體層，所述半導體層帶有用于射出光的有源層(23)，

其中，

所述殼體部件(10)和所述裝配件(11)具有銅制基體，并且至少所述殼體部件(10)被鋼包封，

在所述激光二極管芯片(2)和所述裝配件(11)之間設置有第一焊料層(3)，并且所述激光二極管芯片(2)具有輻射耦合輸出面(27)，在所述輻射耦合輸出面上施加有結晶保護層(6)。

3.激光二極管裝置，具有：

殼體(1)，所述殼體具有殼體部件(10)和與所述殼體部件(10)連接的裝配件(11)，所述裝配件沿著延伸方向(110)遠離所述殼體部件(10)地延伸；以及

在所述裝配件(11)上的激光二極管芯片(2)，所述激光二極管芯片在襯底(20)上具有半導體層，所述半導體層帶有用于射出光的有源層(23)，

其中，

在所述激光二極管芯片(2)和所述裝配件(11)之間設置有第一焊料層(3)，并且所述激光二極管芯片(2)具有輻射耦合輸出面(27)，在所述輻射耦合輸出面上施加有結晶保護層(6)。

4.如權利要求1至3中任一項所述的激光二極管裝置，其中，所述結晶保護層(6)由介電材料構成。

5.如權利要求1至3中任一項所述的激光二極管裝置，其中，所述結晶保護層(6)由氧化物構成。

6.如權利要求1至3中任一項所述的激光二極管裝置，其中，所述結晶保護層(6)具有多個結晶層。

7.如權利要求1至3中任一項所述的激光二極管裝置，其中，在所述輻射耦合輸出面(27)上施加有光學層(7)。

8.如權利要求7所述的激光二極管裝置，其中，所述光學層(7)設置在所述輻射耦合輸出面(27)和所述結晶保護層(6)之間并且由所述結晶保護層(6)覆蓋。

9.如權利要求7所述的激光二極管裝置，其中，所述結晶保護層(6)設置在所述輻射耦合輸出面(27)和所述光學層(7)之間。

10.如權利要求7所述的激光二極管裝置，其中，所述光學層(7)由所述結晶保護層(6)構成。

11.如權利要求1至3中任一項所述的激光二極管裝置，其中，在所述激光二極管芯片(2)的與所述輻射耦合輸出面(27)相對置的后側面(28)上施加有結晶保護層(6)。

12.如權利要求11所述的激光二極管裝置，其中，在所述激光二極管芯片(2)的連接所述后側面(28)和所述輻射耦合輸出面(27)的側面(29)上施加有結晶保護層(6)。

13.如權利要求1至3中任一項所述的激光二極管裝置，其中，所述第一焊料層(3)的厚度大于或等于3μm。

14.如權利要求1至3中任一項所述的激光二極管裝置，其中，在所述激光二極管芯片(2)和所述裝配件(11)之間設置有導熱元件(4)。

15.如權利要求14所述的激光二極管裝置，其中，所述導熱元件(4)借助所述第一焊料層(3)固定在所述裝配件(11)上，并且所述激光二極管芯片(2)借助第二焊料層(5)固定在所述導熱元件(4)上，所述第二焊料層具有大于或等于2μm的厚度。