[發(fā)明專利]一種存儲裝置及其存儲方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510583302.0 | 申請日： | 2015-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN105280806A | 公開（公告）日： | 2016-01-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 程曉敏;劉蘇皓;關(guān)夏威;黃婷;王升;繆向水 | 申請（專利權(quán)）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L43/02 | 分類號： | H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 存儲 裝置 及其 方法 | ||
1.一種存儲裝置，其特征在于，包括第一磁性層、隔離層、第二磁性層、第三磁性層和第四磁性層；所述隔離層、所述第二磁性層和所述第三磁性層設置在所述第一磁性層上，所述第二磁性層和所述第三磁性層位于所述第一磁性層的兩端，所述隔離層位于所述第二磁性層和所述第三磁性層之間，所述第四磁性層設置在所述隔離層上；
所述第二磁性層和所述第三磁性層將所述第一磁性層兩端的磁化方向釘扎，從而在所述第一磁性層的兩端形成第一被釘扎區(qū)和第二被釘扎區(qū)，將所述第一磁性層在所述第一被釘扎區(qū)和所述第二被釘扎區(qū)之間的部分稱為數(shù)據(jù)區(qū)，所述數(shù)據(jù)區(qū)與所述隔離層和所述第四磁性層形成磁隧道結(jié)，所述數(shù)據(jù)區(qū)作為所述磁隧道結(jié)的自由層，所述第四磁性層作為所述磁隧道結(jié)的釘扎層，所述第一被釘扎區(qū)的磁化方向與所述第四磁性層的磁化方向相同，所述第二被釘扎區(qū)的磁化方向與所述第四磁性層的磁化方向相反。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)區(qū)用于存儲數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于，通過在所述第二磁性層和所述第三磁性層間連接電流源，利用自旋極化電流驅(qū)動磁疇壁移動，改變所述數(shù)據(jù)區(qū)的磁化方向，向所述數(shù)據(jù)區(qū)寫入數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于，通過在所述數(shù)據(jù)區(qū)和所述第四磁性層間連接電壓源，并檢測所述磁隧道結(jié)的磁阻大小，從所述數(shù)據(jù)區(qū)讀出數(shù)據(jù)。
5.一種如權(quán)利要求1所述的存儲裝置的存儲方法，其特征在于，通過在所述第二磁性層和所述第三磁性層間連接電流源，利用自旋極化電流驅(qū)動磁疇壁移動，改變所述數(shù)據(jù)區(qū)的磁化方向，向所述數(shù)據(jù)區(qū)寫入數(shù)據(jù)；通過在所述數(shù)據(jù)區(qū)和所述第四磁性層間連接電壓源，并檢測所述磁隧道結(jié)的磁阻大小，從所述數(shù)據(jù)區(qū)讀出數(shù)據(jù)。
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