[發明專利]具有載流子存儲層的溝槽柵IGBT制備方法

有效

• 申請號: 201510583251.1
• 申請日: 2015-09-14
• 公開（公告）號: CN105140121B
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 賈艷;朱陽軍;盧爍今;陳宏
• 申請（專利權）人: 江蘇物聯網研究發展中心;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/265
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良,張濤

1.一種具有載流子存儲層的溝槽柵IGBT制備方法，其特征是，所述溝槽柵IGBT制備方法包括如下步驟：

（a）、提供所需具有第一導電類型的襯底（1），并在所述襯底（1）內的上部設置載流子存儲層（7），所述載流子存儲層（7）的導電類型與襯底（1）的導電類型相一致；

（b）、提供所需具有第二導電類型的基板（12），并將所述基板（12）鍵合固定在襯底（1）上，且基板（12）與襯底（1）鍵合固定后，基板（12）與載流子存儲層（7）相接觸，以形成所需的器件基底；

（c）、在上述的器件基底的正面設置所需的溝槽型正面結構，所述溝槽型正面結構包括溝槽（5），所述溝槽（5）從器件基底的上表面垂直向下延伸且溝槽（5）的槽底位于載流子存儲層（7）下方的襯底（1）內；

（d）、在器件基底的背面設置所需的背面結構，所述背面結構包括設置于襯底（1）背面且導電類型為第二導電類型的集電區（3），所述集電區（3）上設有集電極金屬層（4），所述集電極金屬層（4）與集電區（3）歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的具有載流子存儲層的溝槽柵IGBT制備方法，其特征是：所述載流子存儲層（7）通過在襯底（1）的正面注入第一導電類型離子并退火后形成。

3.根據權利要求1所述的具有載流子存儲層的溝槽柵IGBT制備方法，其特征是：所述襯底（1）的材料包括硅，基板（12）的材料包括硅；襯底（1）與基板（12）均采用硅時，基板（12）與襯底（1）采用硅-硅鍵合固定。

4.根據權利要求1所述的具有載流子存儲層的溝槽柵IGBT制備方法，其特征是：所述溝槽型正面結構還包括位于基板（12）內的源區（9），所述源區（9）的導電類型與載流子存儲層（7）以及襯底（1）的導電類型相一致，源區（9）位于溝槽（5）外壁的側上方，且源區（9）與溝槽（5）的外壁相接觸；溝槽（5）內填充有導電多晶硅（6），溝槽（5）的槽口覆蓋有絕緣氧化層（10），且在所述絕緣氧化層（10）上淀積源極金屬層（11），所述源極金屬層（11）與源區（9）以及基板（12）歐姆接觸。

5.根據權利要求1所述的具有載流子存儲層的溝槽柵IGBT制備方法，其特征是：所述背面結構還包括位于襯底（1）與集電區（3）之間的緩沖層（2），所述緩沖層（2）通過在襯底（1）的背面注入第一導電類型離子形成。