[發(fā)明專利]一種信號(hào)毛刺消除電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510580200.3
• 申請(qǐng)日: 2015-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105227162B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林鵬程
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特格靈芯片（天津）有限公司
• 主分類號(hào): H03K5/22
• 分類號(hào): H03K5/22;H03K19/094
• 代理公司: 北京億騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所11309
• 代理人: 陳霽

1.一種信號(hào)毛刺消除電路，其特征在于，包括：比較器單元(01)、參考電壓選擇單元(02)和毛刺消除單元(03)；其中，

所述參考電壓選擇單元(02)，用于接收第一參考電壓(VH)和第二參考電壓(VL)，以及接收所述毛刺消除單元(03)輸出的第二輸出信號(hào)(VOUT)；所述參考電壓選擇單元(02)根據(jù)所述毛刺消除單元(03)輸出的第二輸出信號(hào)(VOUT)確定所述第一參考電壓(VH)或所述第二參考電壓(VL)為參考電壓(VREF)，并輸出；

所述比較器單元(01)，用于接收輸入信號(hào)(VIN)和所述參考電壓(VREF)，并根據(jù)所述輸入信號(hào)(VIN)及所述參考電壓(VREF)產(chǎn)生第一輸出信號(hào)(COUT)，并輸出；

所述比較器單元(01)包括比較器(11)和電流驅(qū)動(dòng)器(12)；其中，

所述比較器(11)的正向輸入端接收所述輸入信號(hào)(VIN)，所述比較器(11)的負(fù)向輸入端接收所述參考電壓(VREF)，所述比較器(11)將所述輸入信號(hào)(VIN)的上升沿或下降沿與所述參考電壓(VREF)比較，并輸出比較結(jié)果；所述電流驅(qū)動(dòng)器(12)根據(jù)所述比較結(jié)果輸出電流值(IREF)，并將電流值(IREF)作為所述第一輸出信號(hào)(COUT)；所述電流值(IREF)為上拉電流源或下拉電流阱；

所述毛刺消除單元(03)，用于接收所述第一輸出信號(hào)(COUT)，并對(duì)所述第一輸出信號(hào)(COUT)進(jìn)行消除毛刺處理，產(chǎn)生第二輸出信號(hào)(VOUT)；所述毛刺消除單元(03)將所述第二輸出信號(hào)(VOUT)輸出到外部，以及輸出到所述參考電壓選擇單元(02)；

所述毛刺消除單元(03)包括電容器(31)、施密特觸發(fā)器(32)和反相器(33)；其中，

所述電容器(31)的正極與所述施密特觸發(fā)器(32)的輸入端連接，并接收第一輸出信號(hào)(COUT)，所述施密特觸發(fā)器(32)的輸出端與所述反相器(33)的輸入端連接，所述反相器(33)輸出所述第二輸出信號(hào)(VOUT)；

所述毛刺消除單元(03)消除信號(hào)毛刺寬度可以通過(guò)公式計(jì)算，具體公式為：VTH*C1/IREF和(VDD-VTL)*C1/IREF；其中，VTH為所述施密特觸發(fā)器(32)的上升沿閾值電壓，VDD為施密特觸發(fā)器(32)的電源電壓，VTL為所述施密特觸發(fā)器(32)的下降沿閾值電壓，C1為所述電容器(31)的電容，IREF為所述第一輸出信號(hào)(COUT)的電流值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述參考電壓選擇單元(02)包括反相器(21)、第一MOS管(22)和第二MOS管(23)；其中，

所述反相器(21)的負(fù)向輸出端與所述第一MOS管(22)的柵極連接，所述反相器(21)的正向輸入端與所述第二MOS管(23)的柵極連接，并接收所述第二輸出信號(hào)(VOUT)；

所述第一MOS管(22)的源極接收第一參考電壓(VH),所述第二MOS管(23)的源極接收第二參考電壓(VL),所述第一MOS管(22)與第二MOS管(23)的漏極連接，并根據(jù)所述第二輸出信號(hào)(VOUT)的高低將所述第一參考電壓(VH)或所述第二參考電壓(VL)確定為所述參考電壓(VREF)，并輸出。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述比較器單元(01)包括負(fù)載，所述負(fù)載為電阻負(fù)載、二極管負(fù)載和電流鏡負(fù)載的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述比較器單元(01)中所述電流驅(qū)動(dòng)器(12)的電流驅(qū)動(dòng)輸出方式為直接鏡像負(fù)載電流輸出、開(kāi)關(guān)控制電流源輸出和開(kāi)關(guān)控制電流阱輸出的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述參考電壓選擇單元(02)中的第一MOS管(22)為NMOS管、PMOS管或互補(bǔ)開(kāi)關(guān)管，以及第二MOS管(23)為NMOS管、PMOS管或互補(bǔ)開(kāi)關(guān)管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述毛刺消除單元(03)中的電容器(31)為MOS電容器、金屬-絕緣體-金屬電容器(MIM電容器)或復(fù)晶硅電容器(POLY電容器)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述毛刺消除單元(03)包括電容，以及施密特觸發(fā)器和/或反相器。