[發(fā)明專利]等離子體處理裝置用的部件和部件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510578768.1
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN105428195B
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長山將之;三橋康至;虻川志向;永井正也;金澤義典;仁矢鐵也
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社;東華隆株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J9/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;程采

1.一種等離子體處理裝置用的部件的制造方法，其特征在于，包括：

對通過噴鍍形成被膜的基底的表面進(jìn)行表面調(diào)整的工序，該基底的表面包括基材的表面或形成于該基材的表面的層的表面；和

通過氟化釔的噴鍍，在所述表面上形成被膜的工序，

在形成所述被膜的工序中，使用高速火焰噴鍍法或大氣壓等離子體噴鍍法，

在形成所述被膜的工序中，在沿著高速火焰噴鍍法中放出火焰的噴鍍槍的噴嘴、或者大氣壓等離子體噴鍍法中放出等離子體射流的噴鍍槍的噴嘴的中心軸線的方向，向從該噴鍍槍的噴嘴向下游側(cè)遠(yuǎn)離的位置或者該噴鍍槍的噴嘴的前端位置，供給包含具有1μm以上8μm以下的平均粒徑的氟化釔顆粒的漿料，

在形成所述被膜的工序中采用高速火焰噴鍍法，供給所述漿料的位置為在沿著所述中心軸線的方向上距離所述噴嘴的前端0mm以上100mm以下的范圍的位置，或者，在形成所述被膜的工序中采用大氣壓等離子體噴鍍法，供給所述漿料的位置為在沿著所述中心軸線的方向上距離所述噴嘴的前端0mm以上30mm以下的范圍的位置，

在形成所述被膜的工序中，供給所述漿料的漿料供給用噴嘴的中心軸線相對于所述噴鍍槍的噴嘴的所述中心軸線、在該噴鍍槍的噴嘴的前端側(cè)所成的角度為45度以上135度以下。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：

在形成所述被膜的工序中，所述基材的溫度設(shè)定為100℃以上300℃以下的溫度。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：

還包括在所述基材與所述被膜之間形成氧化釔制的第一中間層的工序。

4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于：

還包括對所述第一中間層的包括邊緣的區(qū)域進(jìn)行掩蔽的工序，

在包括所述邊緣的區(qū)域在所述掩蔽工序中被掩蔽的狀態(tài)下，執(zhí)行形成所述被膜的所述工序。

5.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于：

還包括在所述第一中間層與所述被膜之間形成第二中間層的工序。

6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于：

所述第二中間層具有所述第一中間層的線膨脹系數(shù)與所述被膜的線膨脹系數(shù)之間的線膨脹系數(shù)。

7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于：

所述第二中間層由氧化釔穩(wěn)定化氧化鋯噴鍍被膜或鎂橄欖石噴鍍被膜構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于：

所述第二中間層由氧化鋁噴鍍被膜或灰色氧化鋁噴鍍被膜構(gòu)成，所述灰色氧化鋁是氧化鋁－2.5％二氧化鈦。

9.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于：

還包括在所述基材與所述第一中間層之間形成其他的中間層的工序。

10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于：

所述其他的中間層由氧化鋁噴鍍被膜或灰色氧化鋁噴鍍被膜構(gòu)成，所述灰色氧化鋁是氧化鋁－2.5％二氧化鈦。

11.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的制造方法，其特征在于：

還包括在所述基材的表面形成耐酸鋁膜的工序。