[發(fā)明專利]SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510578506.5 | 申請日： | 2015-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN105237021A | 公開（公告）日： | 2016-01-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉永勝;田卓;張程煜;萬佳佳;董寧;成來飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 西北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C04B35/80 | 分類號： | C04B35/80;C04B35/565 |
| 代理公司： | 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 納米 改性 陶瓷 復(fù)合材料 界面 制備 方法 | ||
1.一種SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法，其特征在于步驟如下：
步驟1、采用無水乙醇超聲清洗多孔纖維預(yù)制體后，放入烘箱中烘干；
步驟2：真空浸漬多孔纖維預(yù)制體：將多孔纖維預(yù)制體和催化劑溶液放入浸漬罐中，使得催化劑溶液完全淹沒纖維預(yù)制體，抽真空3～5min至真空度為-0.1MPa，進(jìn)行真空浸漬；浸漬后，取出浸漬后的纖維預(yù)制體并烘干，得到真空浸漬后的多孔纖維預(yù)制體；
步驟3、原位沉積SiC納米線：將浸漬后的多孔纖維預(yù)制體放在立式化學(xué)氣相沉積CVD爐中，以三氯甲基硅烷MTS為硅源；氬氣Ar作為稀釋氣體，稀釋比為30～90；氫氣作為載氣，進(jìn)行原位沉積SiC納米線；
步驟4、沉積SiC基體：將含SiC納米線的纖維預(yù)制體放入立式CVD爐，以三氯甲基硅烷MTS為硅源；氬氣Ar作為稀釋氣體，稀釋比為9～11，采用CVI工藝制備SiC基體，得到致密SiC納米線改性的陶瓷基復(fù)合材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法，其特征在于：所述多孔纖維預(yù)制體是碳化硅纖維預(yù)制體或氮化硅纖維預(yù)制體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法，其特征在于：所述步驟1中烘箱干燥溫度是70～200℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法，其特征在于：所述催化劑為Fe、Co、Ni的氯化物或硝酸鹽的任意一種或多種組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法，其特征在于：所述催化劑溶液的濃度是0.2～1.0mol/L。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法，其特征在于：所述步驟3中原位沉積SiC納米線的沉積溫度為1000℃，爐內(nèi)壓強(qiáng)為-0.01MPa，沉積時間為2h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法，其特征在于：所述步驟4中沉積SiC基體時沉積溫度為900～1200℃，壓力為0.5～5KPa，爐內(nèi)壓強(qiáng)為-0.01Mpa。
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