[發明專利]一種基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法在審
| 申請號： | 201510577885.6 | 申請日： | 2015-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN105237034A | 公開（公告）日： | 2016-01-13 |
| 發明（設計）人： | 劉永勝;萬佳佳;董寧;張青;門靜;成來飛;張立同 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C04B38/06 | 分類號： | C04B38/06;C04B35/565 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 模板 制備 多孔 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
1.一種基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：將按照設計要求加工的模板放入化學氣相滲透爐CVI爐，以MTSCH3SiCl3作為先驅體，氫氣作為載氣和稀釋氣體，氬氣作為保護氣體進行化學氣相滲透；在CVI過程中，生成的SiC陶瓷相覆蓋在模板上得到多孔SiC陶瓷；所述模板為泡沫鎳、泡沫碳或金屬泡沫模板；
步驟2、去除模板：當模板為泡沫鎳或金屬泡沫模板時采用酸化方法去除模板，當模板是泡沫碳時利用低溫氧化燃燒的方法去除模板，得到多孔SiC陶瓷。
2.根據權利要求1所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：在步驟2完成后，將得到的多孔SiC陶瓷再放入化學氣相滲透爐CVI爐，以MTSCH3SiCl3作為先驅體，氫氣作為載氣和稀釋氣體，氬氣作為保護氣體沉積制備SiC納米線，以調節多孔陶瓷孔隙，提高多孔陶瓷的比表面積。
3.根據權利要求1所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：所述模板的孔隙率范圍為40％～90％。
4.根據權利要求1所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟1中CVI過程中MTS∶H2∶Ar的比例為1∶5～15∶10～20。
5.根據權利要求1所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟1中CVI過程中工藝參數為：總氣壓為0.5～5kPa，沉積溫度為900-1200℃，沉積時間為10～200h。
6.根據權利要求1所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟2中低溫氧化燃燒的燃燒溫度范圍為400～700℃。
7.根據權利要求2所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：所述制備SiC納米線時添加Fe、Co、Ni的氯化物或硝酸鹽的任意一種或多種組合為催化劑。
8.根據權利要求2或7所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：所述制備SiC納米線的工藝參數為總氣壓為0.5～5kPa，沉積溫度為800-1100℃，沉積時間為1～10h。
9.根據權利要求2或7所述基于模板制備多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：所述制備SiC納米線時MTS∶H2∶Ar的比例為1∶5～20∶3～15。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西北工業大學，未經西北工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510577885.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
