[發明專利]一種高純涂層式多晶硅坩堝

有效

• 申請號: 201510576913.2
• 申請日: 2015-09-12
• 公開（公告）號: CN105133007A
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 鐘偉;陸文研
• 申請（專利權）人: 無錫舜陽新能源科技股份有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 江陰大田知識產權代理事務所(普通合伙) 32247
• 代理人: 楊新勇

1.一種高純涂層式多晶硅坩堝，包括坩堝本體(1)，其特征在于，在所述坩堝本(1)的表面均布有若干個凹坑或環形凹槽(2)，在所述均布有若干個凹坑或環形凹槽的表面依次附著有第一氮化層(3)、第二氧化層(4)和第三氮化層(5)；

所述第一氮化層(3)通過刷涂方式，將乳漿狀的氮化硅涂覆于均布有若干個凹坑或環形凹槽(2)的坩堝本(1)的表面，所述第一氮化層(3)的涂覆厚度范圍為2~20mm；

所述第二氧化層(3)為粉末狀的氧化硅，通過噴射方式將粉末狀的氧化硅噴射于尚未凝結的乳漿狀的第一氮化層(3)表面，所述第二氧化層(4)在第一氮化層(2)的表面形成顆粒狀；

所述第三氮化層(5)為霧狀的氮化硅，通過噴涂方式將霧狀的氮化硅噴涂于第二氧化層(4)的表面，直至所述第二氧化層(4)的顆粒被覆蓋，所述第三氮化層(5)形成光滑面。

2.如權利要求1所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述第一氮化層(2)包括氮化硅、氫氧化鋇和粘接劑，所述氮化硅、氫氧化鋇和粘接劑加入去離子水攪拌形成乳漿狀后通過刷涂方式形成第一氮化層(2)。

3.如權利要求2所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述粘接劑為有機硅烷、硅酸、多元醇、聚乙烯醇和丙烯酸酯中的一種。

4.如權利要求2所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述氮化硅、氫氧化鋇、粘接劑和去離子水的重量比為100：5~1：15~30：8~15。

5.如權利要求1所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述第二氧化層(4)為氧化硅，所述氧化硅由氮化硅與高氧化劑反應制成，所述高氧化劑為雙氧水、臭氧、濃硫酸、硝酸、鉻酸鉀、高錳酸鉀中的任意一種。

6.如權利要求5所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述第二氧化層(4)的氧化硅采用噴槍噴射，所述噴槍的噴速范圍為5~20km/h，距被噴射面的噴射距離范圍為20~100cm。

7.如權利要求1所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述坩堝本(1)的表面為坩堝的內表面及上端沿口處。

8.如權利要求7所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述凹坑的橫截面形狀呈Ω形或環形凹槽的橫截面形狀呈燕尾槽形。

9.如權利要求1至8中任意一項所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，所述多晶硅坩堝體(1)為一長方體容器，所述多晶硅坩堝上端口的長度范圍為2~3m，寬度范圍為0.5~1m。

10.如權利要求9所述的高純涂層式多晶硅坩堝，其特征在于，在所述坩堝本體(1)的外側壁上也覆設有第一氮化硅層。