[發明專利]寬可調諧半導體激光器輸出波長控制方法及系統有效
| 申請號： | 201510575927.2 | 申請日： | 2015-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN105140777B | 公開（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發明（設計）人： | 董雷;宋珂;印新達;錢磊 | 申請（專利權）人： | 武漢理工光科股份有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/062 | 分類號： | H01S5/062 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 許美紅 |
| 地址： | 430223 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調諧 半導體激光器 輸出 波長 控制 方法 系統 | ||
1.一種寬可調諧半導體激光器輸出波長控制方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、控制可調諧半導體激光器的注入電流，并控制可調諧半導體激光器在全波段范圍內進行波長粗掃描，并記錄各個光纖光柵反射峰位置；
S2、控制可調諧半導體激光器的注入電流，圍繞步驟S1中所記錄的光纖光柵反射峰位置進行波長精掃描；
S3、識別并動態記錄光纖光柵反射峰中心位置；
S4、控制可調諧半導體激光器的注入電流，圍繞步驟S3中動態記錄的光纖光柵反射峰中心位置進行波長精掃描。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括步驟：
S5、在一定的時間周期內，控制半導體激光器在全波段內進行波長粗掃描，判斷光纖光柵反射峰數量及其位置，以防止新的光纖光柵傳感器增加。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S1中，控制可調諧半導體激光器在40nm范圍內進行波長粗掃描。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S2和步驟S4均圍繞光纖光柵反射峰中心位置左、右各100pm，按照步進1pm進行波長精掃描。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述可調諧半導體激光器從前到后依次為前光柵區、有源區、相位區和后光柵區，其輸出波長通過控制前光柵區、相位區和后光柵區的注入電流實現，不同的電流組合實現不同的輸出波長，因此在步驟S1之前還包括步驟：
預先測量可調諧半導體激光器不同電流組合及輸出波長，形成查詢列表，工作時，根據所需波長選擇相應的注入電流。
6.一種寬可調諧半導體激光器輸出波長控制系統，其特征在于，該系統與可調諧半導體激光器連接，該系統包括：
粗掃描單元，用于控制可調諧半導體激光器的注入電流，并控制可調諧半導體激光器在全波段范圍內進行波長粗掃描，并記錄各個光纖光柵反射峰位置；
精掃描單元，用于控制可調諧半導體激光器的注入電流，圍繞粗掃描單元中所記錄的光纖光柵反射峰位置進行波長精掃描；
識別單元，用于識別并動態記錄光纖光柵反射峰中心位置；
該精掃描單元還用于控制可調諧半導體激光器的注入電流，圍繞識別單元中動態記錄的光纖光柵反射峰中心位置進行波長精掃描。
7.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，所述粗掃描系統還用于在一定的時間周期內，控制半導體激光器在全波段內進行波長粗掃描，判斷光纖光柵反射峰數量及其位置，以防止新的光纖光柵傳感器增加。
8.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，所述粗掃描單元具體用于控制可調諧半導體激光器在40nm范圍內進行波長粗掃描。
9.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，所述精掃描均圍繞光纖光柵反射峰中心位置左、右各100pm，按照步進1pm進行波長精掃描。
10.根據權利要求6所述的系統，其特征在于，與該系統連接的可調諧半導體激光器從前到后依次為前光柵區、有源區、相位區和后光柵區，其輸出波長通過控制前光柵區、相位區和后光柵區的注入電流實現，不同的電流組合實現不同的輸出波長，因此該系統還包括：
查詢列表單元，用于預先測量可調諧半導體激光器不同電流組合及輸出波長，形成查詢列表，工作時，根據所需波長選擇相應的注入電流。
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