[發明專利]顯示面板、有機發光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201510575613.2
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN105140413B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 謝再鋒
• 申請（專利權）人: 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 上海隆天律師事務所 31282
• 代理人: 臧云霄;李峰

1.一種高分子有機發光器件，其特征在于，包括：

有機發光層，具有相對的第一面和第二面；

電子傳輸部，疊設于所述有機發光層第一面；

空穴傳輸部，疊設于所述有機發光層第二面，包括依次層疊設置的空穴注入層、空穴傳輸層；

所述空穴傳輸部還包括中位能級層；所述中位能級層的能級介于與其相鄰的兩個膜層之間；

所述中位能級層包括：

第一中位能級層，設于所述空穴注入層與空穴傳輸層之間；及

第二中位能級層，設于所述空穴傳輸層與有機發光層之間；

其中，所述第一中位能級層的功函數為5.3eV～5.7eV，該第一中位能級層的功函數大于所述空穴注入層的HOMO能級且小于所述空穴傳輸層的HOMO能級；所述第二中位能級層的功函數為5.3eV～5.7eV；

所述第一中位能級層為P型金屬氧化物；所述第二中位能級層為P型金屬氧化物，且所述第二中位能級層包括MoO₃或Ni₂O₃，所述的空穴注入層包括(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸，所述的空穴傳輸層包括聚乙烯基咔唑及其衍生物。

2.根據權利要求1所述的高分子有機發光器件，其特征在于，所述第一中位能級層包括MoO₃或Ni₂O₃。

3.根據權利要求1或2所述的高分子有機發光器件，其特征在于，所述的有機發光層包括聚芴及其衍生物、聚乙烯基咔唑以及聚(2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基苯)-1,4-苯撐乙烯)。

4.一種高分子有機發光器件制備方法，其特征在于，包括：

形成一空穴傳輸部，用于提供空穴載流子；

在所述空穴傳輸部之上形成一有機發光層；以及，

在所述有機發光層之上形成一電子傳輸部，用于提供電子載流子；

其中，形成一空穴傳輸部的步驟包括：

形成一空穴注入層；

在所述空穴注入層之上形成一中位能級層；以及，

在所述中位能級層之上形成一空穴傳輸層，所述中位能級層的能級介于所述空穴注入層和所述空穴傳輸層之間；

其中，所述中位能級層為P型金屬氧化物，所述中位能級層的功函數為5.3eV～5.7eV，該中位能級層的功函數大于所述空穴注入層的HOMO能級且小于所述空穴傳輸層的HOMO能級，所述的空穴注入層包括(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸，所述的空穴傳輸層包括聚乙烯基咔唑及其衍生物。

5.根據權利要求4所述的高分子有機發光器件制備方法，其特征在于，所述中位能級層是通過真空熱蒸鍍或溶膠-凝膠工藝形成在所述空穴注入層之上。

6.一種高分子有機發光器件制備方法，其特征在于，包括：

形成一空穴傳輸部，用于提供空穴載流子；

在所述空穴傳輸部之上形成一有機發光層；以及，

在所述有機發光層之上形成一電子傳輸部，用于提供電子載流子；

其中，形成一空穴傳輸部的步驟包括：

形成一空穴注入層；

在所述空穴注入層之上形成空穴傳輸層以及，

在所述空穴傳輸層之上形成一中位能級層，所述中位能級層的能級介于所述空穴傳輸層與所述有機發光層之間；

其中，所述述中位能級層為P型金屬氧化物，且所述中位能級層包含MoO₃或者Ni₂O₃，所述中位能級層的功函數為5.3eV～5.7eV，所述的空穴傳輸層包括聚乙烯基咔唑及其衍生物。

7.根據權利要求6所述的高分子有機發光器件制備方法，其特征在于，所述中位能級層是通過真空熱蒸鍍或溶膠-凝膠工藝形成在所述空穴傳輸層之上。

8.一種高分子有機發光顯示面板，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，與所述第一基板相對設置；

一根據權利要求1-3任意一項所述的高分子有機發光器件，設置于所述第一基板與所述第二基板之間；

一密封結構，設于所述第一基板與所述第二基板的周邊，用于將所述高分子有機發光器件封裝于所述第一基板與所述第二基板之間。