[發(fā)明專利]一種異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510573676.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105140345B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭樺;陳銳;李瑋;闞東武;段光亮;蔡曉晨;徐妍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國(guó)電新能源技術(shù)研究院;國(guó)電光伏有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/0747;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京大成律師事務(wù)所11352 | 代理人: | 陳福 |
| 地址: | 102209 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 異質(zhì)結(jié) 電池 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法,尤其涉及一種異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)晶硅電池工藝中普遍采用的絲網(wǎng)印刷銀漿工藝,由于銀的成本較高和資源有限,并不能滿足未來(lái)太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需求。而且絲網(wǎng)印刷過(guò)程需要對(duì)硅片施加一定的壓力,容易導(dǎo)致碎片的問(wèn)題。傳統(tǒng)晶硅電池的產(chǎn)品存在邊緣漏電、化學(xué)鍍錫后ITO發(fā)白、柵線斷線、柵線線寬不均勻、柵線脫落等技術(shù)缺陷。
本發(fā)明提供新型的銅電極化技術(shù),這種技術(shù)對(duì)硅片施加外部壓力很微小或可實(shí)現(xiàn)非接觸式工藝,可實(shí)現(xiàn)低碎片率生產(chǎn),并且電池制造成本更低而轉(zhuǎn)換效率更高。本發(fā)明以異質(zhì)結(jié)電池為基礎(chǔ)進(jìn)行銅電極技術(shù)研發(fā),其中包括光刻、濕法腐蝕和電鍍等主要工藝技術(shù),最后進(jìn)行工藝集成和產(chǎn)業(yè)化解決方案的研究。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是以異質(zhì)結(jié)電池為基礎(chǔ)進(jìn)行銅電極技術(shù)研發(fā),提供一種太陽(yáng)能電池及其制備方法,制備方法包括光刻、濕法腐蝕和電鍍等主要工藝技術(shù),研發(fā)出銅電極的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,克服了邊緣漏電、化學(xué)鍍錫后ITO發(fā)白、柵線斷線、柵線線寬不均勻、柵線脫落等技術(shù)問(wèn)題。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:
(1)一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,包括如下步驟:
a)在硅晶片上沉積銅,形成電極層;
b)光刻;
c)濕法及電鍍。
(2)根據(jù)(1)所述的異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述硅晶片的結(jié)構(gòu)依次包括ITO層、P-Si層、i-Si層、Si襯底、N-Si層、i-Si層和ITO層。
(3)根據(jù)(1)或(2)所述的異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述a)步驟中,在硅晶片雙面沉積銅,形成電極層;采用射頻方式進(jìn)行沉淀,射頻頻率為12-16MHz,工作氣體為氬氣,靶材為銅。所述沉積的工藝條件如下,本底真空為5X10-5Pa,工作氣壓為0.1-0.5Pa,濺射功率為200-400W,濺射時(shí)間為200-280S,硅晶片溫度為90-110℃。
(4)根據(jù)(1)-(3)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述b)光刻步驟包括,激光光繪繪制圖形、沖片顯影菲林片、壓膜和曝光。
(5)根據(jù)(1)-(4)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,在所述沖片顯影菲林片步驟中,定影、顯影液以濃度20-30%的比例配置,沖片溫度為30-50℃,傳送速度恒定。
(6)根據(jù)(1)-(5)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述壓膜步驟如下,所述壓膜步驟如下,壓膜輪滾軸上表面溫度90-110℃,壓膜輪滾軸下表面溫度90-100℃,傳輸速率0.4-0.6m/min。
(7)根據(jù)(1)-(6)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述曝光的能量強(qiáng)度為80-90mv/cm2。
(8)根據(jù)(1)-(7)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述濕法包括顯影、水洗和稀硫酸清洗。
(9)根據(jù)(1)-(8)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,在所述顯影中,碳酸鈉濃度為0.5-2%,溫度為20-40℃,時(shí)間為0.5-4min;所述水洗步驟為水洗2次,每次水洗時(shí)間為1-2min,溫度為室溫-45℃;所述稀硫酸清洗步驟在室溫中進(jìn)行,硫酸濃度為10%,清洗時(shí)間為0.2-1min。
(10)根據(jù)(1)-(9)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述電鍍步驟中電鍍?nèi)芤旱呐浞綖椋蛩徙~67.5-90g/l,硫酸100-130ml/l,氯離子50-80ppm,陶氏添加劑451#2-4ml/l,陶氏452#10-30ml/l。
(11)根據(jù)(1)-(10)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述電鍍的工藝條件為,18-35℃,1-6A/dm2,12-40min。
(12)根據(jù)(1)-(11)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,在電鍍步驟之后還依次包括如下步驟:水洗、去膜、水洗、去除種子銅、水洗、稀硫酸清洗、化學(xué)鍍錫、水洗和干燥。
(13)根據(jù)(1)-(12)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,在電鍍之后水洗、去膜之前的水洗步驟為洗3次,每次1-2min,溫度范圍為室溫-45℃。
(14)根據(jù)(1)-(13)任一項(xiàng)所述的方法異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,所述去膜步驟使用1-3%氫氧化鈉,溫度為20-55℃,時(shí)間為1-5min。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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