[發(fā)明專利]一種低成本的硅基模塊的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510570532.3
• 申請日: 2015-09-10
• 公開（公告）號: CN105118817B
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張黎;龍欣江;賴志明;陳棟;陳錦輝
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰長電先進(jìn)封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200
• 代理人: 趙華

1.一種低成本的硅基模塊的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其工藝流程如下：

步驟一：取硅圓片Ⅰ，其電極露出鈍化層開口，清洗該硅圓片Ⅰ；

步驟二：在硅圓片Ⅰ的電極的上表面化學(xué)鍍鎳/金層或者在硅圓片Ⅰ的電極的上表面通過物理氣相沉積方法形成鈦或鈦鎢金屬層，在鈦或鈦鎢金屬層的表面形成金屬柱及其頂部的焊料凸點(diǎn)，再去除金屬柱周邊無效的鈦或鈦鎢金屬層；

步驟三：減薄硅圓片Ⅰ的背面厚度；

步驟四：在減薄后的硅圓片Ⅰ的背面通過電子束蒸發(fā)工藝形成金屬層；

步驟五：切割硅圓片Ⅰ，形成復(fù)數(shù)顆獨(dú)立的硅基芯片單體；

步驟六：另取一上表面覆蓋絕緣層的硅圓片Ⅱ，清洗該硅圓片Ⅱ；

步驟七：在該硅圓片Ⅱ的絕緣層的表面利用成熟的金屬再布線工藝形成不連續(xù)的再布線金屬層，其中部分再布線金屬層分別作為焊盤Ⅰ、焊盤Ⅱ、焊盤Ⅲ、焊盤Ⅳ使用；

步驟八：在焊盤Ⅲ、焊盤Ⅳ上植金屬芯焊球；

步驟九：在焊盤Ⅰ、焊盤Ⅱ上印刷焊膏；

步驟十：將硅基芯片單體有序地倒裝至焊盤Ⅰ、焊盤Ⅱ上，并回流固定硅基芯片單體；

步驟十一：在硅圓片Ⅱ的邊緣設(shè)置圍壩，圍壩的頂高不低于硅基芯片單體的背面的金屬層的高度；

步驟十二：在圍壩內(nèi)點(diǎn)填充劑，填充劑的平面不高于硅基芯片單體的背面的金屬層的高度；

步驟十三：撤圍壩，并將完成封裝工藝的上述硅圓片Ⅱ切割成復(fù)數(shù)顆獨(dú)立的低成本的硅基模塊的封裝結(jié)構(gòu)單體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本的硅基模塊的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：在步驟四中，所述金屬層的材質(zhì)為三層結(jié)構(gòu)的鈦/鎳/金或鈦/鎳/銀。