[發明專利]一種無掩膜光刻直寫系統的照明均勻性測試方法有效
| 申請號： | 201510570425.0 | 申請日： | 2015-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN105093855B | 公開（公告）日： | 2017-07-21 |
| 發明（設計）人： | 曹常瑜 | 申請（專利權）人： | 合肥芯碁微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所(普通合伙)34115 | 代理人： | 宋倩,袁由茂 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新區*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無掩膜 光刻 系統 照明 均勻 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種無掩膜光刻直寫系統的照明均勻性測試方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
(1)設置系統的曝光模式，使曝光模式中的能量按照一定的能量梯度遞增，曝光圖形為與系統的曝光最大視場尺寸一致的白圖；
(2)將已涂覆光刻膠的承印晶圓置于曝光臺上；
(3)打開照明光源，按照設置的曝光模式執行曝光，將曝光圖形成像在承印晶圓上的相應位置；
(4)曝光結束后，將承印晶圓進行顯影處理；
(5)觀察顯影后的承印晶圓，根據不同能量條件下的曝光結果，采用以下公式計算系統的照明均勻性：
U＝(Eq-Ep)/(Ep+Eq)
其中，U表示系統的照明均勻性，Ep表示承印晶圓上的曝光圖形首次出現局部感光曝開所對應的能量，Eq表示承印晶圓上的曝光圖形首次出現完全感光曝開所對應的能量。
2.根據權利要求1所述的無掩膜光刻直寫系統的照明均勻性測試方法，其特征在于，該方法還包括：減小能量梯度，重復所述步驟(1)～步驟(5)。
3.根據權利要求1所述的無掩膜光刻直寫系統的照明均勻性測試方法，其特征在于，所述步驟(3)中，照明光源采用波長為405nm的激光二極管。
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