[發(fā)明專利]三維蜂窩狀CuInS2納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510570019.4
• 申請(qǐng)日: 2015-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN105084416B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇言杰;李明;張亞非;胡敬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): C01G15/00
• 分類號(hào): C01G15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31225
• 代理人: 陳亮

1.三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，該方法采用以下步驟：

(1)將銦鹽和硫源混合加入到反應(yīng)釜中，然后加入溶劑，配成銦鹽濃度為0.1～0.4M的溶液，攪拌或超聲溶解；

(2)將生長(zhǎng)有硫化亞銅納米線陣列的導(dǎo)電基底置于反應(yīng)釜中；

(3)將反應(yīng)釜密封，控制溫度160～250℃，反應(yīng)時(shí)間1～10小時(shí)；反應(yīng)結(jié)束后，反應(yīng)釜自然冷卻至室溫，即得到三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列薄膜均勻生長(zhǎng)于導(dǎo)電基底表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的銦鹽和硫源的摩爾比為1:1～1:10。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的銦鹽為氯化銦、硝酸銦、硫酸銦、醋酸銦或乙酰丙酮銦。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的硫源為硫粉、硫脲、半胱氨酸或硫代乙酰胺。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的溶劑為乙二醇或乙二醇與乙醇的混合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的硫化亞銅納米線陣列采用氣固反應(yīng)法制備，硫化亞銅納米線陣列的直徑為50～500nm，長(zhǎng)度為0.1～50μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述的導(dǎo)電基底為金屬或?qū)щ姴ＡА?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維蜂窩狀CuInS₂納米線陣列太陽(yáng)能吸收材料制備方法，其特征在于，步驟(3)中的反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選2～5小時(shí)，反應(yīng)溫度優(yōu)選180～220℃。