[發明專利]基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件在審
| 申請號: | 201510566346.2 | 申請日: | 2015-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN105137472A | 公開(公告)日: | 2015-12-09 |
| 發明(設計)人: | 劉波;朱智超;程傳偉;顧牡;陳鴻 | 申請(專利權)人: | 同濟大學 |
| 主分類號: | G01T1/20 | 分類號: | G01T1/20 |
| 代理公司: | 上??剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人: | 陳亮 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 表面 共振 結構 定向 發射 閃爍 器件 | ||
1.基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,該器件包括
閃爍體,
布置在閃爍體出光面的平面共振腔,
布置在閃爍體其余表面的反射涂層,
所述的平面共振腔包括自下而上依次設置的底部布拉格反射鏡、中間層和頂部布拉格反射鏡。
2.根據權利要求1所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,
所述的底部布拉格反射鏡和頂部布拉格反射鏡均由若干對具有高低折射率的兩種透明介質材料交替構成,底部布拉格反射鏡的對數大于頂部布拉格反射鏡的對數,每層介質材料的厚度為λ/4n,其中λ是閃爍體發光的中心波長,n是對應透明介質材料的折射率,底部布拉格反射鏡的反射率高于頂部布拉格反射鏡的反射率,
所述的中間層為布拉格反射鏡中的高折射率透明介質材料或低折射率透明介質材料,中間層的厚度為mλ/2n,m為介于1和3之間的整數。
3.根據權利要求2所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,所述的高折射率透明介質材料選自TiO2、SiN或Ta2O5中的一種,所述的低折射率透明介質材料選自SiO2、MgF2或CaF2中的一種。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,所述的平面共振腔采用磁控濺射、電子束蒸發或熱蒸發技術制備。
5.根據權利要求1所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,所述的閃爍體為具有毫米或厘米尺寸的塊體。
6.根據權利要求1或5所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,所述的閃爍體選自塑料閃爍體、玻璃閃爍體、ZnO閃爍體、Lu2SiO5:Ce閃爍體、(Lu,Y)2SiO5:Ce閃爍體、Bi4Ge3O12閃爍體、Y3Al5O12:Ce閃爍體、CsI:Tl閃爍體、NaI:Tl閃爍體或PbWO4閃爍體中的一種。
7.根據權利要求1所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,所述的反射涂層為漫反射涂層或鏡面反射涂層。
8.根據權利要求7所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,所述的漫反射涂層采用的材料為MgO、BaSO4或聚四氟乙烯中的一種,采用常規噴涂技術制備。
9.根據權利要求7所述的基于表面共振腔結構的定向發射閃爍體器件,其特征在于,所述的鏡面反射涂層根據閃爍體發射波長選擇銀膜、鋁膜或金膜,采用磁控濺射、電子束蒸發或熱蒸發鍍膜技術制備。
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