[發明專利]一種采用激光直寫制備薄膜降反結構的方法

有效

• 申請號: 201510565938.2
• 申請日: 2015-09-08
• 公開（公告）號: CN105261671B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 張建明;劉前
• 申請（專利權）人: 蘇州華維納納米科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 蘇州慧通知識產權代理事務所(普通合伙)32239
• 代理人: 丁秀華

1.一種采用激光直寫制備薄膜降反結構的方法，其包括以下步驟：

步驟1)：選取基底，對其進行清洗和干燥處理；

步驟2)：采用甩膠機對聚苯乙烯甲苯溶液進行均勻旋涂，干燥后獲得純凈平整的聚苯乙烯薄膜；

步驟3)：在聚苯乙烯薄膜上繼續采用物理氣相沉積工藝鍍制一層多晶硅薄膜；

步驟4)：使用激光在所制備的薄膜上進行照射刻寫，使刻寫部分的薄膜出現微凸起結構陣列。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4)包括：使用激光直寫對需要制備微結構陣列的薄膜部位進行直寫。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底為玻璃材質基片、單晶基片或高分子聚合物，且基底為硬或軟的基片。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述玻璃材質基片包括普通蓋玻片、載玻片或石英玻璃；所述單晶基片包括單晶Si片、砷化鎵基片、氮化鎵基片。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述高分子聚合物基底為絕緣材質的柔性基片，其包括PMMA、PC基片。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3)中的物理氣相沉積工藝為磁控濺射、離子濺射、激光脈沖沉積、電子束沉積。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述微凸起結構陣列的微凸起結構的直徑從納米尺度到微米尺度；微凸起結構為少半球、半球、多半球。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚苯乙烯薄膜的制備步驟包括：首先將純凈的聚苯乙烯固體溶解在甲苯溶液中，通過升溫和磁力攪拌機加快聚苯乙烯固體的溶解速度并提高聚苯乙烯在甲苯溶液中分布均勻；待聚苯乙烯固體完全溶解后，使用過濾直徑為0.45μm和0.22μm的有機濾器將溶液先后過濾兩次，以確保獲得干凈的聚苯乙烯甲苯溶液；再通過調整聚苯乙烯濃度，可以獲得不同質量分數的PS甲苯溶液；然后采取旋涂的方法獲得平整而均勻的薄膜，且在旋涂的過程中，滴在襯底基片中央的液滴隨著旋轉的開始快速攤開均勻地布滿整個基片，甲苯溶劑快速的揮發而獲得聚苯乙烯薄膜，其厚度通過聚苯乙烯的甲苯溶液濃度和甩膠機的轉速來控制；最后對旋涂好的聚苯乙烯薄膜在80℃的溫度下進行烘干1小時去除殘余的甲苯溶劑分子。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜的厚度為20nm-500nm，聚苯乙烯薄膜的厚度為100nm-2μm。