[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管器件及具有其的顯示設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510563772.0 | 申請日： | 2011-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN105244448A | 公開（公告）日： | 2016-01-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金英美;姜鎬哲;金豪鎮(zhèn);李昌熙;車國憲;李成勛;郭正勛;裴完基;李東龜;林才勛 | 申請（專利權）人： | 樂金顯示有限公司;首爾大學校產(chǎn)學協(xié)力團 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;謝雪閩 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子 發(fā)光二極管 器件 具有 顯示 設備 | ||
1.一種量子點發(fā)光二極管器件，包括：
形成在基板上的陰極，其中所述陰極與所述基板上的薄膜晶體管相連；
在所述陰極上的電子傳輸層，其中所述電子傳輸層具有可交聯(lián)的結(jié)構；
形成在所述電子傳輸層上的量子點發(fā)光層，其中所述量子點發(fā)光層是通過溶液工藝形成；
在所述量子點發(fā)光層上的空穴傳輸層；和
形成在所述空穴傳輸層上的陽極，
其中所述量子點發(fā)光層包括R量子點、G量子點和B量子點。
2.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述量子點發(fā)光層包括2族-6族配對或3族-5族配對的納米半導體化合物。
3.根據(jù)權利要求2所述的器件，其中所述納米半導體化合物選自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一種。
4.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述空穴傳輸層由選自CBP、α-NPD、TCTA和DNTPD中的任意一種形成。
5.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述空穴傳輸層由NiO或MoO3形成。
6.根據(jù)權利要求2所述的器件，其中所述電子傳輸層還包括選自ZnO、TiO2、WO3和SnO2中的任意一種。
7.根據(jù)權利要求2所述的器件，其中所述電子傳輸層還包括TPBI或TAZ。
8.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述R量子點、G量子點和B量子點中的每一個具有1納米～100納米的直徑。
9.根據(jù)權利要求4所述的器件，其中在所述空穴傳輸層和所述陽極之間進一步包括空穴注入層，所述空穴注入層是MoO3。
10.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述空穴傳輸層的HOMO大于所述量子點發(fā)光層中的全部R量子點、G量子點和B量子點的HOMO。
11.根據(jù)權利要求10所述的器件，其中帶隙能量的差值按照B、G和R的順序變小。
12.一種顯示設備，包括：
形成在基板上的透明陰極；
在所述透明陰極上的電子傳輸層，其中所述電子傳輸層具有可交聯(lián)的結(jié)構；
在所述電子傳輸層上形成的、包括量子點的量子點發(fā)光層，其中所述量子點發(fā)光層是通過溶液工藝形成；
在所述量子點發(fā)光層上的空穴傳輸層；
形成在所述空穴傳輸層上的陽極；以及
與所述陰極連接的薄膜晶體管，
其中所述量子點發(fā)光層包括R量子點、G量子點和B量子點。
13.一種顯示設備，包括：
形成在基板上的陰極；
在所述陰極上的電子傳輸層，其中所述電子傳輸層具有可交聯(lián)的結(jié)構；
在所述電子傳輸層上形成的、包括量子點的量子點發(fā)光層，其中所述量子點發(fā)光層是通過溶液工藝形成；
在所述量子點發(fā)光層上的空穴傳輸層；
形成在所述空穴傳輸層上的透明陽極；以及
與所述陰極連接的薄膜晶體管，
其中所述量子點發(fā)光層包括R量子點、G量子點和B量子點。
14.一種顯示設備，包括：
形成在第一基板上的陰極；
在所述陰極上的電子傳輸層，其中所述電子傳輸層具有可交聯(lián)的結(jié)構；
在所述電子傳輸層上形成的、包括量子點的量子點發(fā)光層，其中所述量子點發(fā)光層是通過溶液工藝形成；
在所述量子點發(fā)光層上的空穴傳輸層；
形成在所述空穴傳輸層上的透明陽極；
形成在所述第一基板上的、與所述陰極連接的薄膜晶體管；以及
與所述第一基板相對的第二基板，所述第二基板具有濾色器層，
其中所述量子點發(fā)光層包括R量子點、G量子點和B量子點。
15.一種制造顯示設備的方法，包括下述步驟：
在基板上形成薄膜晶體管；
在所述基板上形成陰極，其中所述陰極與所述薄膜晶體管相連；
通過溶液工藝在所述陰極上形成電子傳輸層，其中所述電子傳輸層具有可交聯(lián)的結(jié)構，并且其中所述電子傳輸層是在用于該溶液工藝的溶劑揮發(fā)后被固化；
通過溶液工藝在所述電子傳輸層上形成填充有多個量子點的量子點發(fā)光層；
在所述量子點發(fā)光層上形成空穴傳輸層；以及
在所述空穴傳輸層上形成陽極，
其中所述量子點發(fā)光層包括R量子點、G量子點和B量子點。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
