[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板與液晶顯示裝置在審
| 申請號: | 201510563586.7 | 申請日: | 2015-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN105185789A | 公開(公告)日: | 2015-12-23 |
| 發明(設計)人: | 仲偉軍;呂晶 | 申請(專利權)人: | 昆山龍騰光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制造 方法 液晶 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板的制造方法、由該陣列基板的制造方法制造的陣列基板以及包括該陣列基板的液晶顯示裝置。
背景技術
液晶顯示裝置(LiquidCrystalDisplay,LCD)具備輕薄、節能、無輻射等諸多優點,因此已經逐漸取代傳統的陰極射線管(CRT)顯示器。目前液晶顯示器被廣泛地應用于高清晰數字電視、臺式計算機、個人數字助理(PDA)、筆記本電腦、移動電話、數碼相機等電子設備中。
常見的液晶顯示裝置可分為窄視角的扭曲向列型(TwistedNematic,TN)液晶顯示裝置、超扭曲向列型(SuperTwistedNematic,STN)液晶顯示裝置、雙層超扭曲向列型(Double-layerSuperTwistedNematic,DSTN)液晶顯示裝置以及廣視角的邊緣場開關技術(FringeFieldSwitching,FFS)液晶顯示裝置、平面轉換(In-PlaneSwitching,IPS)液晶顯示裝置與垂直配向技術(VerticalAlignment,VA)液晶顯示裝置。其中,IPS型液晶顯示裝置由于其可視角度大、色彩真實、畫面出色等各種優勢而被廣泛地應用于顯示設備中。
隨著IPS型液晶顯示裝置的解析度越來越高,IPS型液晶顯示裝置的面板上的像素點越來越密集,則紅色(Red。R)子像素、綠色(Green,G)子像素以及藍色(Blue,B)子像素之間設置的黑色矩陣(BlackMatrix,BM)的寬度將會減小,BM寬度減小容易引起液晶顯示裝置發生漏光現象。此外,在陣列基板與彩色濾光片基板組立的過程中,若陣列基板與彩色濾光片基板之間的偏移量MA過大,液晶顯示裝置也會發生漏光現象。
目前,現有技術中為了防止液晶顯示裝置的漏光現象,一方面加寬BM的寬度,另一方面是在陣列基板與彩色濾光片基板組立過程中設定機臺工作參數,使得陣列基板與彩色濾光片基板之間的偏移量在限定范圍內。但是,加寬BM的寬度將導致液晶顯示裝置的透光率下降,影響畫面顯示,此外,在陣列基板與彩色濾光片基板的組立過程中設定機臺參數,可靠性低,容易產生不良產品,降低了產品的良率。
因此,有必要提供改進的技術方案以克服現有技術中存在的以上技術問題。
發明內容
鑒于以上問題,本發明提供一種良率高、透光率高且不易漏光的陣列基板。
本發明提供一種陣列基板的制造方法,所述方法包括步驟:在基底上形成柵極金屬層;在所述柵極金屬層上形成有源層;在所述有源層上形成源-漏極金屬層;在所述源-漏極金屬層上形成第一絕緣層;在所述絕緣層上形成像素電極層;在所述像素電極層上形成第二絕緣層以及在所述第二絕緣層上形成第一部分公共電極層與第二部分公共電極層,其中,所述第一部分公共電極層對應于數據線的位置設置,且呈條狀位于數據線的上方,所述第一部分公共電極層的材料為金屬。
本發明還提供一種由上述方法制造的陣列基板,所述陣列基板包括基底、設置在所述基底上的柵極金屬層、設置在所述柵極金屬層上的有源層、設置所述有源層上的源-漏極金屬層、設置在所述源-漏極金屬層上的第一絕緣層、設置在所述第一絕緣層上的像素電極層、設置在所述像素電極層上的第二絕緣層以及設置在所述第二絕緣層上的第一部分公共電極層與第二部分公共電極層。其中,所述第一部分公共電極層對應于數據線的位置設置,且呈條狀位于數據線上方,所述第一部分公共電極層的材料為金屬。
本發明還提供一種包括上述陣列基板的液晶顯示裝置。
本發明的陣列基板的制造方法、由該方法制造的陣列基板以及包括該陣列基板的液晶顯示將陣列基板上的公共電極分為第一部分公共電極層與第二部分公共電極層,并且第一部分公共電極層位于數據線的上方,此外,第一部分公共電極層的材料為金屬鉬,由于金屬鉬的不透光性,在數據線上方的第一部分公共電極層相當于黑色矩陣,進而使得陣列基板不易產生漏光現象,進而提高產品的良率,此外,對應于數據線位置的黑色矩陣可適當的減小寬度從而提高產品的透光率。
附圖說明
圖1為本發明一實施例所提供的陣列基板的制造方法的步驟流程示意圖。
圖2為發明一實施例所提供的陣列基板的平面結構示意圖。
圖3為本發明一實施例所提供的液晶顯示裝置的剖面結構示意圖。
具體實施方式
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





