[發明專利]錫酸銻納米線復合電子封裝材料有效
| 申請號： | 201510560812.6 | 申請日： | 2015-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN105131480B | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 裴立宅;林楠;吳勝華;蔡征宇 | 申請（專利權）人： | 安徽工業大學 |
| 主分類號： | C08L27/16 | 分類號： | C08L27/16;C08L29/04;C08L33/02;C08K3/24;C08K5/098 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所32207 | 代理人： | 蔣海軍 |
| 地址： | 243002 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 錫酸銻 納米 復合 電子 封裝 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種錫酸銻納米線復合電子封裝材料，其特征在于：以質量百分比計，該電子封裝材料的配方如下：
所述錫酸銻納米線是通過以下方法予以制備的：
以錫酸鈉、氯化銻作為原料，水為溶劑，其中錫酸鈉與氯化銻的摩爾比為1:1，將錫酸鈉、氯化銻與水均勻混合后置于反應容器內并密封，于溫度120-180℃、保溫12-36h，其中錫酸鈉與氯化銻的重量不大于水重量的50％。
2.如權利要求1所述一種錫酸銻納米線復合電子封裝材料，其特征在于：所述錫酸銻納米線的直徑為50nm、長度為20-30μm。
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