[發(fā)明專利]一種鉍酸鋇納米棒電子封裝材料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510560804.1
• 申請(qǐng)日: 2015-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN105037991B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴立宅;林楠;吳勝華;蔡征宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C08L25/06
• 分類號(hào): C08L25/06;C08L23/06;C08L71/02;C08K3/24;C08K5/5415
• 代理公司: 南京知識(shí)律師事務(wù)所32207
• 代理人: 蔣海軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子封裝材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鉍酸鋇納米棒電子封裝材料。

背景技術(shù)

電子封裝材料在集成電路等電子設(shè)備中起著固定、保護(hù)內(nèi)部元件、傳遞電信號(hào)并向外散發(fā)元件熱量的作用，是集成電路等電子設(shè)備的關(guān)鍵部件。隨著集成電路等電子設(shè)備向小型化、高密度、多功能化及高性能化發(fā)展，對(duì)電子封裝材料的要求越來越高，作為較為理想的電子封裝材料，要求電子封裝材料具有熱膨脹系數(shù)低、絕緣性好、耐老化及耐蝕性能良好、容易加工、導(dǎo)熱率高等特性。

金屬材料和高分子材料作為傳統(tǒng)的電子封裝材料具有較廣泛的應(yīng)用。國(guó)家發(fā)明專利“銅/鉬/銅電子封裝復(fù)合材料的制備方法”(國(guó)家發(fā)明專利號(hào)：ZL200610072824.5)公開了一種將銅板在600-1000℃熱處理1-2h，然后將鉬板包覆于兩層銅板之間，于600-1000℃經(jīng)過2-5次熱軋，500-900℃退火處理1-2h，通過表面處理、包覆、熱軋、退火、冷軋及后續(xù)處理六個(gè)工藝過程制備出的銅/鉬/銅電子封裝復(fù)合材料。國(guó)家發(fā)明專利“一種Cu-TiNi復(fù)合材料的制備方法”(國(guó)家發(fā)明專利號(hào)：ZL200710192401.1)以銅板、鈦鎳合金為材料，通過在氫氣氣氛中于750-850℃、保溫40-50min經(jīng)過熱軋復(fù)合，750-840℃固溶處理2-4h，160-360MPa、400-500℃壓應(yīng)力時(shí)效處理10-20h等過程制備出了Cu-TiNi復(fù)合材料電子封裝材料。國(guó)家發(fā)明專利“太陽能電池封裝用乙烯-醋酸乙烯共聚物膠膜及制備方法”(國(guó)家發(fā)明專利申請(qǐng)?zhí)枺?00810020329.9)以乙烯-乙酸乙烯樹脂為主要原料，加入少量氧化鋁、氧化鎂、氧化鈹、氮化鋁和碳化硅等導(dǎo)熱填料、2,5-二甲基-2,5-雙(叔丁基過氧)己烷及p-(4-羥基-3,5二叔丁基苯基)丙酸正十八碳醇酯，得到了一種用于封裝太陽能電池的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物封裝材料。

高分子材料基電子封裝材料雖然具有易加工、絕緣性好、制備溫度低的特點(diǎn)，但存在熱膨脹系數(shù)大、耐老化性能差和強(qiáng)度低的缺點(diǎn)；金屬電子封裝材料雖然具有強(qiáng)度高、耐老化性能好、熱膨脹系數(shù)小等特點(diǎn)，但也存在制備溫度高、制備過程復(fù)雜等缺點(diǎn)。因此，單一材料難以滿足電子封裝材料性能的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了解決以上問題，提供鉍酸鋇納米棒作為主要原料，引入聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蠟等成分，以期得到具有熱膨脹系數(shù)小、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工、絕緣性好、導(dǎo)熱系數(shù)高及制備溫度低的鉍酸鋇納米棒電子封裝材料。

本發(fā)明所提供的鉍酸鋇納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：

鉍酸鋇納米棒65-80％、聚苯乙烯10-15％、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5％、三甲氧基硅烷5-10％、聚乙烯蠟4-10％。

本發(fā)明所述鉍酸鋇納米棒的直徑為20nm、長(zhǎng)度為1μm。

本發(fā)明所提供的鉍酸鋇納米棒的具體制備方法如下：

以鉍酸鈉、乙酸鋇作為原料，水為溶劑，其中鉍酸鈉與乙酸鋇的摩爾比為1:1，將鉍酸鈉、乙酸鋇與水均勻混合后置于反應(yīng)容器內(nèi)并密封，于溫度150-200℃、保溫12-24h，其中鉍酸鈉與乙酸鋇的重量不大于水重量的50％。

本發(fā)明所提供的鉍酸鋇納米棒電子封裝材料的具體制備方法如下：

按照質(zhì)量比例稱取鉍酸鋇納米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蠟，然后通過機(jī)械攪拌將其混合均勻，再置于磨具中沖壓成型，在100-150℃、保溫24-72h，自然冷卻后得到了鉍酸鋇納米棒電子封裝材料。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果：

1、本發(fā)明以鉍酸鋇納米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蠟作為原料，制備出無機(jī)非金屬納米材料與高分子材料復(fù)合形成的電子封裝材料，這種電子封裝材料具有熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工、絕緣性好等特點(diǎn)。

2、本發(fā)明鉍酸鋇納米棒電子封裝材料的制備溫度為100-150℃，低于無機(jī)非金屬材料和金屬基電子封裝材料的制備溫度，制備過程簡(jiǎn)單，降低了能耗，減少了制備成本。

3、本發(fā)明鉍酸鋇納米棒穩(wěn)定性好、無污染，聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蠟是批量生產(chǎn)的原料，可以實(shí)現(xiàn)鉍酸鋇納米棒電子封裝材料的制備。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1制備的鉍酸鋇納米棒電子封裝材料的SEM圖像；

從圖可以看出鉍酸鋇納米棒電子封裝材料由納米棒和無規(guī)則顆粒構(gòu)成，納米棒的直徑為20nm、長(zhǎng)度為1μm。