[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510557555.0
• 申請(qǐng)日: 2015-09-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105185824A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳一峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都嘉石科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/66
• 分類號(hào): H01L29/66;H01L21/683
• 代理公司: 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 胡川

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供生長(zhǎng)襯底，在所述生長(zhǎng)襯底上制作多個(gè)孔洞；

在所述生長(zhǎng)襯底上形成外延片，所述外延片包括位于所述生長(zhǎng)襯底上橫向生長(zhǎng)的成核層和位于所述成核層上的器件結(jié)構(gòu)；

提供支撐襯底，在所述器件結(jié)構(gòu)上覆蓋膠體，將所述支撐襯底與所述膠體粘合固定；

將所述外延片與所述生長(zhǎng)襯底分離；

利用所述支撐襯底將所述外延片轉(zhuǎn)移至目標(biāo)載體，并在轉(zhuǎn)移后去除所述膠體，得到半導(dǎo)體器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述生長(zhǎng)襯底的材料為Si、GaN、SiC或藍(lán)寶石。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述孔洞為盲孔或貫穿所述生長(zhǎng)襯底的通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述孔洞在所述生長(zhǎng)襯底上均勻分布，所述孔洞的形狀為圓形、橢圓形、三角形或四邊形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述孔洞的大小為1-500μm，所述孔洞的間距為5-500μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述成核層的厚度為0.1μm-1mm，所述成核層的材料為SiC、GaN、AlN或AlGaN。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述支撐襯底的材料為Si、SiC、藍(lán)寶石或GaN。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述目標(biāo)載體的材料為金剛石、SiC、GaN或Si。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述將所述外延片與所述生長(zhǎng)襯底分離的步驟具體為：

采用濕法腐蝕工藝或激光切割工藝將所述外延片與所述生長(zhǎng)襯底分離。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為HEMT器件、MISFET器件或MOSFET器件。