[發明專利]扇出型封裝制備方法在審
| 申請號: | 201510553354.3 | 申請日: | 2015-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN105206539A | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發明(設計)人: | 陳峰;陸原;劉一波;林挺宇 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷紅梅;韓鳳 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 扇出型 封裝 制備 方法 | ||
1.扇出型封裝制備方法,其特征是,包括以下步驟:
(1)承載片表面涂覆臨時鍵合膠,臨時鍵合膠表面再涂覆第一絕緣樹脂層,第一絕緣樹脂層表面形成開口;
(2)將芯片倒貼在承載片上第一絕緣樹脂層表面,以第一絕緣樹脂層上的開口作為芯片貼裝的對準標記,使芯片的焊盤對準第一絕緣樹脂層的開口;
(3)在第一絕緣樹脂層表面覆蓋第二絕緣樹脂層,將芯片包裹?。?/p>
(4)去除承載片和臨時鍵合膠;
(5)在第一絕緣樹脂層和芯片表面形成導電線路,導電線路與芯片的焊盤相連接;
(6)在導電線路上覆蓋第三絕緣樹脂層,并在第三絕緣樹脂層表面開窗,露出部分導電線路;
(7)在露出的導電線路上制作焊球。
2.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述芯片包括有源芯片和/或無源芯片,芯片表面有焊盤。
3.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述臨時鍵合膠通過加熱、機械、化學、激光方式中的一種或多種去除。
4.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述第一絕緣樹脂層和第三絕緣樹脂層為光敏性樹脂;涂覆方式為機械方式,包括旋涂、噴涂、壓合、印刷、濺射工藝中的一種或多種。
5.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述第二絕緣樹脂層為有機樹脂或含有填料的有機樹脂。
6.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述第二絕緣樹脂層是一層或多層結構。
7.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述第二絕緣樹脂層通過點膠、熱壓、塑封、印刷、旋涂、噴涂方式中的一種或多種制作。
8.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述導電線路為一層或多層。
9.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述第一絕緣樹脂層與第三絕緣樹脂層為相同材料。
10.如權利要求1所述的扇出型封裝制備方法,其特征是,所述承載片為圓形、方形或不規則圖形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





