[發明專利]用于制作發光二極管的光刻顯影方法

在審

• 申請號: 201510551842.0
• 申請日: 2015-09-01
• 公開（公告）號: CN105204300A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 徐平;苗振林;盧國軍
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/32
• 分類號: G03F7/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京愛普納杰專利代理事務所(特殊普通合伙) 11419
• 代理人: 何自剛

1.一種用于制作發光二極管的光刻顯影方法，其特征在于，包括：

清洗LED芯片表面污染物；

預添加顯影液；以及

分步顯影，用于逐步減少顯影時間、顯影液量及顯影轉速；

其中，總顯影時間為T，每次顯影的所述顯影時間為T1、T2、......、Tn-1、Tn，T＝T1+T2+…+Tn-1+Tn，T1>T2>.....>Tn-1>Tn，每次顯影添加的所述顯影液量為V1、V2、......Vn-1、Vn，V1>V2>.....>Vn-1>Vn，每次顯影的所述顯影轉速為R1、R2、....Rn-1、Rn，R1>R2>.....>Rn-1>Rn，n為大于或等于2的正整數。

2.如權利要求1所述的光刻顯影方法，其特征在于，Tn＝0.9Tn-1。

3.如權利要求1所述的光刻顯影方法，其特征在于，Vn＝0.9Vn-1。

4.如權利要求1所述的光刻顯影方法，其特征在于，Rn＝0.8Rn-1。

5.如權利要求1所述的光刻顯影方法，其特征在于，V1＝15～22毫升，R1＝40～60轉/分鐘，T1＝20～40秒。

6.如權利要求1所述的光刻顯影方法，其特征在于，所述分步顯影進一步包括：

在每次顯影之后，轉動所述LED芯片，將剩余在所述LED芯片上的顯影液甩去，再轉動所述LED芯片，使所述LED芯片的運動狀態穩定下來。

7.如權利要求6所述的光刻顯影方法，其特征在于，以800～1200轉/分鐘的速度轉動所述LED芯片，將剩余在所述LED芯片上的所述顯影液甩去。

8.如權利要求6所述的光刻顯影方法，其特征在于，以10～12轉/分鐘的速度轉動所述LED芯片1～2秒，使所述LED芯片的運動狀態穩定下來。

9.如權利要求1所述的光刻顯影方法，其特征在于，所述預添加顯影液的步驟包括：

添加所述顯影液2～4毫升，一邊顯影一邊以8～15轉/分鐘速度轉動所述LED芯片，使得所述顯影液在所述LED芯片的表面停留1～2秒，再以800～1200轉/分鐘的速度轉動所述LED芯片，將剩余在所述LED芯片上的顯影液甩去，然后以10～12轉/分鐘的速度轉動所述LED芯片1～2秒，使所述LED芯片的運動狀態穩定下來。

10.如權利要求1所述的光刻顯影方法，其特征在于，所述清洗LED芯片表面污染物的步驟包括：

以1000～1500轉/分鐘的速度轉動所述LED芯片3～5秒，再以10～12轉/分鐘的速度轉動所述LED芯片1～2秒，使所述LED芯片運動狀態穩定下來。