[發(fā)明專利]空間輻射環(huán)境可靠性分析方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510549059.0
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN105718713B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王群勇;陳冬梅;白樺;陽輝
• 申請（專利權(quán)）人: 北京圣濤平試驗工程技術(shù)研究院有限責(zé)任公司
• 主分類號: G06F19/00
• 分類號: G06F19/00
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種空間輻射環(huán)境可靠性分析方法，其特征在于，包括：

S1、將空間輻射環(huán)境下電子系統(tǒng)中預(yù)設(shè)層級的分析對象按照故障預(yù)警修復(fù)方式分為若干個組別，

其中，所述預(yù)設(shè)層級為系統(tǒng)級、設(shè)備級或器件級，系統(tǒng)級的分析對象為電子系統(tǒng)，設(shè)備級的分析對象為該電子系統(tǒng)中的設(shè)備，器件級的分析對象為該電子系統(tǒng)中的電子器件；

S2、計算預(yù)設(shè)層級的每一組別在空間輻射環(huán)境中的輻射應(yīng)力作用下的失效率；

S3、根據(jù)預(yù)設(shè)層級的相應(yīng)組別在空間輻射環(huán)境中的輻射應(yīng)力作用下的失效率，計算預(yù)設(shè)層級的相應(yīng)組別在空間輻射環(huán)境下的總失效率，其中所述總失效率包括輻射應(yīng)力作用下的失效率和非輻射應(yīng)力作用下的失效率；

S4、根據(jù)預(yù)設(shè)層級中各組別的所述總失效率，計算空間輻射環(huán)境可靠性的分析指標的大小；

S5、根據(jù)所述分析指標的大小，對所述空間輻射環(huán)境可靠性進行分析，得到分析結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述步驟S1中分組得到的組別包括：計劃中斷短期硬失效組別、計劃中斷長期硬失效組別、非計劃中斷短期硬失效組別、非計劃中斷長期硬失效組別和軟失效組別。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，預(yù)設(shè)層級中每一組別的失效率λ_SRE通過下式計算：

λ_SRE＝λ_SEE+λ_TID+λ_DD

其中，λ_SEE為相應(yīng)組別中的所有分析對象在輻射應(yīng)力作用下因發(fā)生單粒子效應(yīng)而失效的失效率之和，λ_TID為所述相應(yīng)組別中的所有分析對象在輻射應(yīng)力作用下因發(fā)生總劑量效應(yīng)而失效的失效率之和，λ_DD為所述相應(yīng)組別中所有分析對象在輻射應(yīng)力作用下因發(fā)生位移損傷效應(yīng)而失效的失效率之和。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，預(yù)設(shè)層級中非計劃中斷短期硬失效組別、非計劃中斷長期硬失效組別或軟失效組別的失效率λ_SEE通過下式計算：

λ_SEE＝λ_SEE-H+λ_SEE-P+λ_SEE-HN+λ_SEE-TN

其中，λ_SEE-H為相應(yīng)組別中所有分析對象因重離子輻射應(yīng)力導(dǎo)致發(fā)生單粒子效應(yīng)而失效的失效率之和，λ_SEE-P為相應(yīng)組別中所有分析對象因質(zhì)子輻射應(yīng)力導(dǎo)致發(fā)生單粒子效應(yīng)而失效的失效率之和，λ_SEE-HN為相應(yīng)組別中所有分析對象因高能中子輻射應(yīng)力導(dǎo)致發(fā)生單粒子效應(yīng)而失效的失效率之和，λ_SEE-TN為相應(yīng)組別中所有分析對象因熱中子輻射應(yīng)力導(dǎo)致發(fā)生單粒子效應(yīng)而失效的失效率之和。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

當(dāng)所述預(yù)設(shè)層級為器件級時，第i組別中的每一電子器件在輻射應(yīng)力作用下因發(fā)生總劑量效應(yīng)而失效的失效率或因位移損傷效應(yīng)而失效的失效率采用以下公式計算：

其中，λ_TID/DD-i為該電子器件在輻射應(yīng)力作用下因發(fā)生總劑量效應(yīng)而失效的失效率或因位移損傷效應(yīng)而失效的失效率，T為該電子器件的使用壽命，Φ為第i組別中該電子器件在規(guī)定的任務(wù)軌道從0時刻到T時刻的累計失效概率；p_-TID/DD為該電子器件在總劑量效應(yīng)影響下的生存概率或在位移損傷效應(yīng)影響下的生存概率，R_{SPEC-TID/DD-dev(T)}為該電子器件在規(guī)定的任務(wù)軌道從0時刻到T時刻過程中抗總劑量效應(yīng)的電離輻射總劑量要求或抗位移損傷效應(yīng)的電離輻射總劑量要求，μ為該電子器件在地面試驗中獲得的平均抗輻射能力，σ為該電子器件的樣品在地面試驗中獲得的抗輻射能力離散性。