[發(fā)明專利]用于離子束蝕刻的離子噴射器電極組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510548855.2 | 申請日: | 2015-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN105390356B | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 伊凡·L·貝瑞三世;索斯藤·利爾 | 申請(專利權(quán))人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01J37/04 | 分類號: | H01J37/04;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所31263 | 代理人: | 樊英如,李獻(xiàn)忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 離子束 研磨 離子 噴射器 透鏡 系統(tǒng) | ||
1.一種制造用于離子束蝕刻反應(yīng)器的電極部件的方法,所述方法包括:
提供第一電極、第二電極和第三電極;
提供并固定第一電極間結(jié)構(gòu),使其固定在所述第一電極和所述第二電極之間,并且提供并固定第二電極間結(jié)構(gòu),使其固定在所述第二電極和所述第三電極之間,其中,所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極、所述第一電極間結(jié)構(gòu)、以及所述第二電極間結(jié)構(gòu)實質(zhì)上彼此垂直對準(zhǔn),以形成所述電極部件;以及
在所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極中形成多個開口,且所述第一電極間結(jié)構(gòu)和所述第二電極間結(jié)構(gòu)被固定在所述電極部件中,其中所述第一電極間結(jié)構(gòu)和所述第二電極間結(jié)構(gòu)各自包括一個或多個開口,并且其中所述第一電極間結(jié)構(gòu)和所述第二電極間結(jié)構(gòu)中的所述一個或多個開口與在所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極中的所述開口相比形狀不同。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述電極中的一個或多個包括簡并摻雜硅,其中,固定所述第一電極間結(jié)構(gòu)包括將所述第一電極間結(jié)構(gòu)附接至所述第一電極和/或所述第二電極,其中,固定所述第二電極間結(jié)構(gòu)包括將所述第二電極間結(jié)構(gòu)附接至所述第二電極和/或所述第三電極。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,固定所述電極間結(jié)構(gòu)中的一個或多個包括將所述電極間結(jié)構(gòu)中的一個或多個靜電地鍵合至所述電極中的至少一個。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,固定所述電極間結(jié)構(gòu)中的一個或多個包括提供附著劑或者玻璃熔塊,以將所述一個或多個電極間結(jié)構(gòu)固定至所述電極中的一個或多個。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,固定所述第一電極間結(jié)構(gòu)并固定所述第二電極間結(jié)構(gòu)包括提供直接或者間接固定所述第一電極間結(jié)構(gòu)和所述第二電極間結(jié)構(gòu)、以及直接固定至少所述第一電極和所述第三電極的托架或夾子。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,在第一電極、第二電極和第三電極中形成開口還包括在所述第一電極間結(jié)構(gòu)中并在所述第二電極間結(jié)構(gòu)中形成開口,并且還包括在形成所述開口之后,將所述電極部件浸在蝕刻溶液中,因而蝕刻并移除至少所述第一電極間結(jié)構(gòu)的一部分和所述第二電極間結(jié)構(gòu)的一部分,使得形成在所述第一電極間結(jié)構(gòu)和所述第二電極間結(jié)構(gòu)中的所述開口具有比形成在所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極中的所述開口更寬的直徑。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其中,將所述電極部件浸在蝕刻溶液中導(dǎo)致形成與所述第一電極和所述第二電極接觸,或者與所述第二電極和所述第三電極接觸的支撐結(jié)構(gòu),其中,所述支撐結(jié)構(gòu)由所述第一電極間結(jié)構(gòu)和所述第二電極間結(jié)構(gòu)形成。
8.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其中,所述第一、第二和第三電極與所述第一和第二電極間結(jié)構(gòu)具有的熱膨脹系數(shù)(CTE)彼此相差50%。
9.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其中,所述第一、第二和第三電極與所述第一和第二電極間結(jié)構(gòu)具有的熱膨脹系數(shù)(CTE)彼此相差50%以下。
10.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其中,形成所述開口包括用激光鉆出所述開口。
11.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其中,所述第三電極中的所述開口具有的直徑比所述第二電極中的所述開口的直徑大0-30%,其中,所述第二電極中的所述開口的直徑比所述第一電極中的所述開口的直徑大0-30%。
12.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其中,所述電極中的一個或多個具有以10°的角成為錐形的開口。
13.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其中,所述電極中的一個或多個具有以10°以下的角成為錐形的開口。
14.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其還包括將反射器附接至所述第三電極,其中,所述反射器阻斷通過所述電極部件的直接視線。
15.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法,其還包括在所述第一電極間結(jié)構(gòu)和/或所述第二電極間結(jié)構(gòu)中形成氣體通路,其中,所述氣體通路水平取向并且允許氣體從所述電極部件的內(nèi)部區(qū)域水平地向外逃逸。
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