[發(fā)明專利]LDMOS晶體管的自熱效應(yīng)評價(jià)方法以及自熱效應(yīng)評價(jià)系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510547846.1 | 申請日： | 2015-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN106483439B | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 甘正浩;馮軍宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 高靜;吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ldmos 晶體管 熱效應(yīng) 評價(jià) 方法 以及 系統(tǒng) | ||
【權(quán)利要求書】：
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