[發(fā)明專利]開關(guān)轉(zhuǎn)換器控制

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510547643.2
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN105391298B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·諾鮑爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種電路，包括：

開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器，包括：

半橋，包括連接至低側(cè)半導(dǎo)體開關(guān)的高側(cè)開關(guān)；以及

電感器，耦合至半橋輸出節(jié)點；以及

控制器，配置為生成驅(qū)動信號，以切換所述高側(cè)開關(guān)和所述低側(cè)半導(dǎo)體開關(guān)導(dǎo)通和斷開以用于在連續(xù)導(dǎo)通模式CCM中操作所述開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器；

其中生成所述驅(qū)動信號以保證在所述低側(cè)半導(dǎo)體開關(guān)的斷開與后續(xù)的所述高側(cè)開關(guān)的導(dǎo)通之間的死區(qū)時間，并且

其中，在CCM中，當(dāng)在切換之時電感器電流為負時，所述死區(qū)時間設(shè)置為第一值，而當(dāng)所述電感器電流在所述切換之時為正時，所述死區(qū)時間設(shè)置為小于所述第一值的第二值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述控制器還被配置為生成驅(qū)動信號以在不連續(xù)導(dǎo)通模式DCM操作所述開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中所述控制器進一步配置為：當(dāng)所述控制器在所述CCM下操作所述開關(guān)轉(zhuǎn)換器時，檢測所述電感器電流是否為負，并且當(dāng)已經(jīng)檢測到所述電感器電流為負時，將所述死區(qū)時間設(shè)置為所述第一值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中所述控制器進一步配置為：當(dāng)已經(jīng)檢測到所述電感器電流為正時，將所述死區(qū)時間設(shè)置為所述第二值。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中所述控制器進一步配置為：當(dāng)所述控制器在所述DCM下操作所述開關(guān)轉(zhuǎn)換器、并且所述電感器電流基本為零時，生成驅(qū)動信號以導(dǎo)通所述低側(cè)半導(dǎo)體開關(guān)達給定時間間隔，由此使所述電感器電流變?yōu)樨摗?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中所述低側(cè)半導(dǎo)體開關(guān)是由多個晶體管單元組成的晶體管，并且其中所述控制器進一步配置為：當(dāng)所述控制器在所述DCM下操作所述開關(guān)轉(zhuǎn)換器、并且所述電感器電流基本為零時，生成驅(qū)動信號以導(dǎo)通所述低側(cè)半導(dǎo)體開關(guān)的部分所述晶體管單元達給定時間間隔，由此使所述電感器電流變?yōu)樨摗?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中所述低側(cè)半導(dǎo)體開關(guān)包括晶體管和并聯(lián)耦合至所述晶體管的輔助開關(guān)，并且其中所述控制器進一步配置為：當(dāng)所述控制器在所述DCM下操作所述開關(guān)轉(zhuǎn)換器、并且所述電感器電流基本為零時，生成驅(qū)動信號以導(dǎo)通所述輔助開關(guān)達給定時間間隔，由此使所述電感器電流變?yōu)樨摗?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中所述輔助開關(guān)和所述控制器集成在相同的半導(dǎo)體裸片或者相同的芯片封裝體中。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中在所述輔助開關(guān)的所述斷開與后續(xù)的所述高側(cè)開關(guān)的所述導(dǎo)通之間的所述死區(qū)時間設(shè)置為所述第一值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器為降壓轉(zhuǎn)換器。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述控制器配置為：在避免通過所述半橋的橋臂貫通的同時，將所述第二值調(diào)節(jié)為盡可能短。