[發(fā)明專利]制造晶體光伏電池的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510546720.2
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN105405921A
• 公開（公告）日: 2016-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·瑞卡曼帕尤;F·迪林克斯;M·阿萊曼
• 申請（專利權(quán)）人: IMEC非營利協(xié)會
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;郭輝

1.一種用于制造晶體半導(dǎo)體光伏電池(100,200)的方法,所述方法包括:

在半導(dǎo)體基片(10,30)的表面上的第一預(yù)定的位置處沉積介電層(12,34)；和

然后，在所述半導(dǎo)體基片(10,30)表面上的第二預(yù)定的位置處生長摻雜的外延層(13,33)，該第二預(yù)定的位置不同于第一預(yù)定的位置也不與第一預(yù)定的位置重疊,

其中在制造所述光伏電池(100,200)的過程中，所述介電層(12,34)仍然保留在所述半導(dǎo)體基片的所述表面上,以及其中將介電層(12,34)保持作為所述光伏電池(100,200)的表面鈍化層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在低于500℃的溫度下沉積所述介電層(12,34)。

3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在第一預(yù)定的位置處沉積所述介電層(12,34)的步驟包括通過化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、熱解涂覆、旋涂、噴涂或浸涂來沉積所述介電層。

4.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述介電層(12,34)包含硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、氧氮化物或鈦氧化物。

5.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述摻雜的外延層(13,33)在600℃-1000℃的溫度范圍下生長。

6.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述摻雜的外延層(13,33)形成所述光伏電池(100,200)的發(fā)射器區(qū)域、背表面場區(qū)域和/或前表面場區(qū)域。

7.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定的位置和第二預(yù)定的位置存在于所述半導(dǎo)體基片(10,30)的相同表面上。

8.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定的位置和第二預(yù)定的位置存在于所述半導(dǎo)體基片(10,30)的相反的表面上。

9.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定的位置存在于所述半導(dǎo)體基片(10,30)的兩個表面上。

10.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)定的位置存在于所述半導(dǎo)體基片(10,30)的兩個表面上。

11.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在第一預(yù)定的位置處沉積所述介電層(12,34)的步驟包括在第一預(yù)定的位置處和在第二預(yù)定的位置處沉積所述介電層，然后將所述介電層從第二預(yù)定的位置去除。

12.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在第二預(yù)定的位置處生長所述摻雜的外延層(13,33)的步驟在其中兩個半導(dǎo)體基片表面都暴露于外延生長過程中所用的前體的系統(tǒng)中進行。