[發(fā)明專利]KYGeS4非線性光學(xué)晶體及其生長方法與應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510546178.0 | 申請日： | 2015-08-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105063756A | 公開（公告）日： | 2015-11-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梅大江;吳遠(yuǎn)東 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海工程技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B29/46 | 分類號(hào)： | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 上?？剖⒅R(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人： | 王小榮 |
| 地址： | 201620 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | kyges sub 非線性 光學(xué) 晶體 及其 生長 方法 應(yīng)用 | ||
1.KYGeS4非線性光學(xué)晶體，其特征在于，該晶體的化學(xué)式為KYGeS4，并且所述的晶體不具有對稱中心，屬單斜晶系，空間群為P21，其晶胞參數(shù)為：β＝108.07(2)°。
2.如權(quán)利要求1所述的KYGeS4非線性光學(xué)晶體的生長方法，其特征在于，該方法是將粉末狀KYGeS4化合物加熱至熔化得高溫熔液，并恒溫處理24-96h，再以0.5-10℃/h的降溫速率降溫至室溫，即制得無色透明的KYGeS4非線性光學(xué)晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的KYGeS4非線性光學(xué)晶體的生長方法，其特征在于，所述的粉末狀KYGeS4化合物的制備方法為：將含K物質(zhì)、含Y物質(zhì)、含Ge物質(zhì)和單質(zhì)S按照摩爾比K:Y:Ge:S＝1:1:1:4的比例混合均勻后，加熱進(jìn)行固相反應(yīng)，得到化學(xué)式為KYGeS4的化合物，經(jīng)搗碎研磨得粉末狀KYGeS4化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的KYGeS4非線性光學(xué)晶體的生長方法，其特征在于，所述的含K物質(zhì)為鉀單質(zhì)或硫化鉀，所述的含Ge物質(zhì)為鍺單質(zhì)或二硫化鍺，所述的含Y物質(zhì)為釔單質(zhì)或三硫化二釔。
5.如權(quán)利要求1所述的KYGeS4非線性光學(xué)晶體的應(yīng)用，其特征在于，所述的KYGeS4非線性光學(xué)晶體用于制備非線性光學(xué)器件，該非線性光學(xué)器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊所述的KYGeS4非線性光學(xué)晶體后產(chǎn)生至少一束頻率不同于入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。
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