[發明專利]一種基于抽氣方法的納米涂層沉積裝置及方法

有效

• 申請號: 201510544088.8
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN105154868B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 楊權三;郝鵬飛;何楓
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: C23C24/08
• 分類號: C23C24/08
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司11327
• 代理人: 邸更巖

1.一種基于抽氣方法的納米涂層沉積裝置，其特征在于：所述裝置包括穩定基座(1)、控溫平臺(2)、緩沖平臺(6)和抽氣系統；控溫平臺(2)設置在穩定基座(1)上；所述的抽氣系統包括抽氣管(12)、抽氣緩沖腔(4)、連接短管(10)、導氣管(9)、真空泵(8)和調速器(7)；抽氣緩沖腔(4)設置在抽氣管(12)上，抽氣緩沖腔(4)通過連接短管(10)和導氣管(9)與真空泵8連接，真空泵(8)和調速器(7)固定在緩沖平臺(6)上；抽氣管的底端位于控溫平臺上方5～10mm處。

2.根據權利要求1所述的一種基于抽氣方法的納米涂層沉積裝置，其特征在于：所述裝置還包括抽氣管調節機構，所述的抽氣管調節機構包括豎直導軌(14)、第一活動卡具(5)、連接桿(11)和第二活動卡具(13)；所述的豎直導軌固定在穩定基座(1)上，第一活動卡具(5)設置在豎直導軌(14)上，第一活動卡具和第二活動卡具通過連接桿(11)固定連接，抽氣管固定在第二活動卡具上。

3.采用如權利要求1或2所述裝置的一種基于抽氣方法的納米涂層沉積方法，其特征在于該方法包括如下步驟：

1)將基底(3)放置在控溫平臺(2)上，然后將納米溶液滴到基底上；

2)使抽氣管的底端對準液滴，并使抽氣管的底端位于控溫平臺上方5～10mm處，設置控溫平臺的加熱溫度為40～60℃；

3)開啟控溫平臺及真空泵，調節調速器的轉速范圍為500～1000r/min，在加熱和氣流的共同作用下液滴開始蒸發，并最終形成均勻的納米涂層。