[發明專利]高深寬比結構中的觸點清潔

在審

• 申請號: 201510543852.X
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN105390389A
• 公開（公告）日: 2016-03-09
• 發明（設計）人: 巴渝·西德約伊斯沃羅;海倫·朱;琳達·馬克斯;樸俊
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;李獻忠

1.一種清潔具有多個高深寬比開口的襯底的方法，該方法包括：

提供具有多個高深寬比開口的襯底到等離子體處理室中，所述開口中的每一個都具有大于10:1的高度比橫向尺寸的深寬比；

使包括基于氟的物質的第一蝕刻劑朝向所述襯底流動；

施加第一偏置功率到所述等離子體處理室，以產生所述基于氟的物質的等離子體，從而去除所述高深寬比開口中的氧化硅；

使包括基于氫的物質的第二蝕刻劑朝向所述襯底流動，其中所述第二蝕刻劑包括氫和三氟化氮，所述氫的濃度大于所述三氟化氮的濃度；以及

施加源功率和第二偏置功率到所述等離子體處理室，以產生所述基于氫的物質的等離子體，從而去除所述高深寬比開口中的硅。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一蝕刻劑僅由三氟化氮組成。

3.根據權利要求1所述的方法，所述氧化硅的去除是在所述等離子體處理室沒有被施加任何源功率的情況下進行的。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括限定所述高深寬比開口中的每一個的多個垂直結構，所述垂直結構中的每一個包括交替的氧化物層和氮化物層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述交替的氧化物層和氮化物層包括交替的氧化硅層和氮化硅層。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述高深寬比開口中的所述硅的去除對于所述交替的氧化物層和氮化物層中的每一個以大于500:1的選擇比進行。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中在使所述第一蝕刻劑流向所述襯底并且施加所述第一偏置功率時，在所述等離子體處理室中的壓強小于10毫托。

8.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中用以去除所述硅的所述源功率和所述第二偏置功率之間的比為等于或大于2:1。

9.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述硅包含非晶或受損的硅。

10.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述源功率被施加到所述等離子體處理室中的遠程等離子體源，并且其中施加所述源功率包括暴露所述基于氫的物質到所述遠程等離子體源以產生所述基于氫的物質的自由基。

11.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中施加所述第一偏置功率包括將所述基于氟的物質暴露于所述第一偏置功率，以產生所述基于氟的物質的離子。

12.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述多個高深寬比開口是垂直NAND結構的一部分。

13.一種清潔具有多個高深寬比開口的襯底的裝置，所述裝置包括：

等離子體處理室，其中所述等離子體處理室包括：

遠程等離子體源；和

用于支撐具有多個高深寬比開口的襯底的襯底支撐件，所述開口中的每一個都具有大于10:1的高度比橫向尺寸的深寬比，并且所述襯底具有在所述高深寬比開口內的在硅層上的氧化硅層；和

控制器，其被構造成提供用于執行以下操作的指令：

(a)使包括基于氟的物質的第一蝕刻劑朝向所述襯底流動；

(b)施加第一偏置功率到所述等離子體處理室內的所述襯底支撐件，以產生所述基于氟的物質的等離子體，從而去除所述氧化硅層；

(c)使包括基于氫的物質的第二蝕刻劑朝向所述襯底流動，其中所述第二蝕刻劑包括氫和三氟化氮，所述氫的濃度大于所述三氟化氮的濃度；以及

(d)施加源功率到所述遠程等離子體源以及施加第二偏置功率到所述等離子體處理室內的所述襯底支撐件，以產生所述基于氫的物質的等離子體，從而去除所述硅層。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述第一蝕刻劑僅由三氟化氮組成。