[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結構的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510543291.3
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN106653675B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 鄧浩;嚴琰;楊軍;彭婷婷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底內(nèi)形成有淺溝槽；

在半導體襯底表面及所述淺溝槽內(nèi)形成第一絕緣層，位于淺溝槽內(nèi)的第一絕緣層中具有開口；

刻蝕第一絕緣層以增大開口的寬度，刻蝕第一絕緣層的工藝為干刻工藝，采用的氣體包括NF₃；

對刻蝕后的第一絕緣層的表面進行等離子體處理，所述等離子體處理采用的氣體為Ar、He或He和Ar的混合氣體，所述等離子體處理的工藝參數(shù)為：所述氣體的總流量為1000sccm～3000sccm，高頻射頻功率為100瓦～500瓦，低頻射頻功率為50瓦～150瓦，腔室壓強為5torr～15torr，溫度為350攝氏度～450攝氏度，處理時間為30秒～90秒；

清洗等離子體處理后的所述第一絕緣層的表面；

清洗所述第一絕緣層的表面后，向淺溝槽內(nèi)填充滿第二絕緣層。

2.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，清洗所述第一絕緣層表面采用的溶液為去離子水。

3.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層的材料為氧化硅。

4.根據(jù)權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，形成第一絕緣層的工藝為高深寬比沉積工藝，具體參數(shù)為：采用的前驅(qū)體為正硅酸乙酯與臭氧，正硅酸乙酯的流量為500毫克每分鐘～2500毫克每分鐘，臭氧的流量為15000sccm～25000sccm，腔室壓強為550torr～650torr，溫度為450攝氏度～600攝氏度。

5.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述干刻工藝的具體的參數(shù)為：采用的氣體為NH₃、NF₃、He和Ar，NH₃的流量為50sccm～200sccm，NF₃的流量為50sccm～200sccm，He的流量為500sccm～2000sccm，Ar的流量為300sccm～600sccm，射頻功率為50瓦～150瓦，刻蝕腔室壓強為3torr～8torr。

6.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為氧化硅。

7.根據(jù)權利要求6所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，形成第二絕緣層的工藝為高深寬比沉積工藝，具體的參數(shù)為：采用的前驅(qū)體為正硅酸乙酯與臭氧，正硅酸乙酯的流量為500毫克每分鐘～2500毫克每分鐘，臭氧的流量為15000sccm～25000sccm，腔室壓強為550torr～650torr，溫度為450攝氏度～600攝氏度。

8.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，還包括，在形成第一絕緣層之前，在淺溝槽側(cè)壁和底部形成絕緣襯墊層。