[發明專利]含常導通晶體管和常關斷晶體管的開關的系統和方法

有效

• 申請號: 201510543258.0
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN105391281B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: B·佐杰
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱;張昊

1.一種電路，包括：

第一驅動器，包括被配置為耦合至常關斷晶體管的控制節點的第一輸出端，所述第一驅動器被配置為以共源共柵模式在所述第一輸出端處驅動第一切換信號并且被配置為以直接驅動模式在所述第一輸出端處驅動第一恒定電壓，其中所述常關斷晶體管具有位于所述常關斷晶體管的第一負載路徑端與所述常關斷晶體管的第二負載路徑端之間的第一負載路徑；以及

第二驅動器，包括被配置為耦合至常導通晶體管的控制節點的第二輸出端，所述第二驅動器被配置為以所述直接驅動模式在所述第二輸出端處驅動第二切換信號并且被配置為以共源共柵模式在所述第二輸出端處驅動靜態信號，其中所述常導通晶體管具有位于所述常導通晶體管的第三負載路徑端與所述常導通晶體管的第四負載路徑端之間的第二負載路徑，所述常關斷晶體管的所述第二負載路徑端耦合至所述常導通晶體管的所述第三負載路徑端。

2.根據權利要求1所述的電路，其中：

所述第二驅動器被進一步配置為在共源共柵模式下在所述第二輸出端處處于高阻抗；以及

所述電路進一步包括耦合在所述常導通晶體管的控制節點與所述常關斷晶體管的第一負載路徑端之間的開關，所述開關被配置為在所述直接驅動模式下斷開且在所述共源共柵模式下閉合。

3.根據權利要求1所述的電路，其中：

所述第一驅動器包括所述第一驅動器的第一電源端以及配置為耦合至所述常關斷晶體管的第一負載路徑端的所述第一驅動器的第二電源端；以及

所述第二驅動器包括所述第二驅動器的第三電源端以及被配置為耦合至所述常導通晶體管的第三負載路徑端的所述第二驅動器的第四電源端。

4.根據權利要求3所述的電路，其中：

所述第一切換信號包括在所述第一驅動器的第一電源端的電壓與所述常關斷晶體管的第一負載路徑端的電壓之間進行轉換的電壓；以及

所述第二切換信號包括在所述常導通晶體管的第三負載路徑端的電壓與所述第二驅動器的第三電源端的電壓之間進行轉換的電壓。

5.根據權利要求3所述的電路，進一步包括：

第一電源，耦合在所述第一驅動器的第一電源端與所述第一驅動器的第二電源端之間；以及

第二電源，耦合在所述第二驅動器的第三電源端與所述第二驅動器的第四電源端之間。

6.根據權利要求1所述的電路，進一步包括：所述常導通晶體管和所述常關斷晶體管。

7.根據權利要求6所述的電路，其中所述常導通晶體管包括GaNHEMT器件，并且所述常導通晶體管的第三負載路徑端包括所述GaNHEMT器件的源極。

8.根據權利要求7所述的電路，其中所述常關斷晶體管包括增強模式型MOSFET晶體管，所述增強模式型MOSFET晶體管的第二負載路徑端包括所述增強模式型MOSFET晶體管的漏極，并且所述增強模式型MOSFET晶體管的第一負載路徑端包括所述增強模式型MOSFET晶體管的源極。