[發(fā)明專(zhuān)利]顯示基板、顯示裝置及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510538310.3
• 申請(qǐng)日: 2015-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105182595B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武延兵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1335
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1335;G02F1/1362;G02F1/1333
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李亞非;景軍平

1.一種顯示基板，其特征在于，包括：

襯底；以及

布置在所述襯底上的藍(lán)光抑制層，

其中所述藍(lán)光抑制層減弱一部分由光源發(fā)射的藍(lán)光，

其中所述顯示基板還包括形成于所述襯底上的薄膜晶體管、鈍化層、平坦化層和像素電極，

其中所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源區(qū)和源/漏電極，

其中所述藍(lán)光抑制層在所述顯示基板的顯示區(qū)域中直接形成于所述柵極絕緣層、所述鈍化層和所述平坦化層其中之一上，

其中在由所述光源發(fā)射的藍(lán)光的光路上，所述藍(lán)光抑制層包括布置在透明介質(zhì)底層上的第一透明介質(zhì)層和第二透明介質(zhì)層，以及

其中所述顯示基板包括藍(lán)色亞像素區(qū)和非藍(lán)色亞像素區(qū)，并且所述藍(lán)光抑制層包括布置在所述非藍(lán)色亞像素區(qū)的顯示區(qū)域中并且貫穿所述藍(lán)光抑制層的整個(gè)厚度的開(kāi)口部。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，

所述像素電極通過(guò)貫穿所述鈍化層的過(guò)孔電連接到所述薄膜晶體管的源/漏電極。

3.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，

所述像素電極通過(guò)貫穿所述藍(lán)光抑制層和所述鈍化層的過(guò)孔電連接到所述薄膜晶體管的源/漏電極。

4.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，

在所述非藍(lán)色亞像素區(qū)的顯示區(qū)域中，所述顯示基板包括所述襯底以及形成于所述襯底上的像素電極。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，

在所述非藍(lán)色亞像素區(qū)的顯示區(qū)域，所述顯示基板包括所述襯底、所述平坦化層和形成于所述平坦化層上的像素電極。

6.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，

所述顯示基板還包括形成于所述藍(lán)光抑制層上的黑矩陣層和彩色濾光片。

7.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，

所述顯示基板還包括形成于所述襯底的第一側(cè)上的薄膜晶體管和像素電極，以及形成于所述襯底的第一側(cè)或第二側(cè)上的黑矩陣層和彩色濾光片；以及

所述藍(lán)光抑制層形成于所述襯底的第一側(cè)。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，

所述第一透明介質(zhì)層的折射率n₁大于所述透明介質(zhì)底層的折射率n₀；以及

所述第一透明介質(zhì)層的折射率n₁大于所述第二透明介質(zhì)層的折射率n₂。

9.如權(quán)利要求8所述的顯示基板，其特征在于，

所述第一透明介質(zhì)層的厚度d為d=(2m+1)λ/(4n₁)，其中m為自然數(shù)，n₁為第一透明介質(zhì)層的折射率，并且λ為待減弱的藍(lán)光的波長(zhǎng)。

10.如權(quán)利要求8所述的顯示基板，其特征在于，

所述藍(lán)光抑制層包括順序堆疊的兩組以上所述第一透明介質(zhì)層和第二透明介質(zhì)層。

11.如權(quán)利要求8或9所述的顯示基板，其特征在于，

所述第一透明介質(zhì)層和所述第二透明介質(zhì)層的折射率相差至少0.3。

12.如權(quán)利要求8或9所述的顯示基板，其特征在于，

所述透明介質(zhì)底層為SiO₂，所述第一透明介質(zhì)層為SiN_x，以及所述第二透明介質(zhì)層為SiO₂。

13.如權(quán)利要求12所述的顯示基板，其特征在于，

所述第一透明介質(zhì)層的厚度為58-62nm。

14.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-13中任意一項(xiàng)所述的顯示基板。