[發(fā)明專利]砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510533948.8
• 申請(qǐng)日: 2015-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN105047762A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北英沃泰電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0693;H01L31/0687;H01L31/0216
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 陸林生

1.一種砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于包括如下步驟：

多結(jié)太陽(yáng)能電池材料的生長(zhǎng)：自下而上分別生長(zhǎng)襯底層（1）、第一電池結(jié)（2）、第一隧道結(jié)（3）、第二電池結(jié)（4）、第二隧道結(jié)（5）、第三電池結(jié)（6）、第N隧道結(jié)、第N+1電池結(jié)，依次類推以及接觸層（7），電池結(jié)之間通過隧道結(jié)進(jìn)行連通，其中N為大于2的自然數(shù)；

正面金屬化：通過光刻工藝腐蝕掉金屬電極以外的接觸層（7），在腐蝕后的接觸層（7）上表面通過蒸發(fā)工藝形成歐姆接觸金屬層（8）；

正面金屬臺(tái)面腐蝕：通過對(duì)歐姆接觸金屬層（8）進(jìn)行光刻和腐蝕工藝，形成劃片道，劃片道與劃片道之間形成分離的金屬電極；

減反射膜涂覆：在金屬電極之外的上表面形成減反射膜（9）；

襯底減薄：將襯底（1）減薄至所需厚度；

背面金屬化：在減薄后的襯底（1）的下表面形成背面金屬化層（10）；

背面電鍍銅：在背面金屬化層（10）的下表面通過電鍍工藝形成銅基板層（11）。

2.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于所述制備工藝還包括正面切割工藝：使用切割機(jī)沿劃片道進(jìn)行切割，切割深度以切入銅基板層（11）的5微米-10微米為準(zhǔn)，將電池片切割成獨(dú)立的電池。

3.如權(quán)利要求2所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于所述制備工藝還包括引線鍵合工藝：用鍵合引線在分離后的電池上、下表面進(jìn)行串并聯(lián)工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于：所述襯底層（1）使用GaAs或Ge。

5.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于：所述電池結(jié)從上到下為窗口層（12）、電池結(jié)層（13）和阻隔層（14），所述窗口層（12）的制作材料為N-In_xGa_(1-x)P，所述阻隔層（14）的制作材料為P-In_xGa_(1-x)P，0<x<1。

6.如權(quán)利要求5所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于：所述電池結(jié)層（13）為兩層結(jié)構(gòu)，上層為N-GaAs層，下層為P-GaAs層；或者，所述電池結(jié)層（13）為兩層結(jié)構(gòu)，上層為N-In_xGa_(1-x)As層，下層為P-In_xGa_(1-x)As層，0<x<1；或者，所述電池結(jié)層（13）為兩層結(jié)構(gòu)，上層為N-In_xGa_(1-x)P層，下層為P-In_xGa_(1-x)P層，0<x<1。

7.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于：所述隧道結(jié)為兩層結(jié)構(gòu)，上層為P⁺⁺-GaAs層，下層為N⁺⁺-GaAs層；或者，所述隧道結(jié)為兩層結(jié)構(gòu)，上層為P⁺⁺-Al_xGa_(1-x)As層，下層為N⁺⁺-In_xGa_(1-x)P層。

8.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于：所述歐姆接觸金屬層（8）為三層結(jié)構(gòu)，從下到上依次為AuGeNi層、Ag層和Au層。

9.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于：所述減反射膜（9）為兩層結(jié)構(gòu)，上層為T_iO₂層，下層為S_iO₂。

10.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征在于：所述背面金屬化層（10）為三層金屬結(jié)構(gòu)，從上到下依次為Ti層、Ag層和Au層。