[發明專利]一種用于感測電流的方法、電流傳感器及系統有效
| 申請號： | 201510533048.3 | 申請日： | 2015-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN105388350B | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 羅伯特·H·伊山;湯瑪士·海斯;安德魯·L·威伯;朱立歐·雷耶斯 | 申請（專利權）人： | 英特希爾美國公司 |
| 主分類號： | G01R19/00 | 分類號： | G01R19/00;G01R19/32 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;安利霞 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 電流 方法 電流傳感器 系統 | ||
1.一種用于感測電流的方法，其特征在于，包含：
由溫度傳感器量測MOS晶體管開關的一大致溫度產生所量測溫度；
使用所儲存的溫度傳感器增益及偏移修正函數通過所述所量測溫度計算經修正溫度；
量測所述MOS晶體管的閘極驅動電壓；
使用所儲存的電壓修正函數來計算電壓修正因子，其中所述所儲存的電壓修正函數為所述經修正溫度與所述閘極驅動電壓的函數；
量測橫越所述MOS晶體管開關的RDSon電壓降來產生所量測RDSon電壓降；及
使用所述所量測RDSon電壓降及所述電壓修正因子來計算所述電流。
2.如權利要求1所述的用于感測電流的方法，其特征在于，通過所述所量測溫度計算經修正溫度包含：使所述所量測溫度乘以溫度增益因子來產生一乘積，并將溫度偏移因子相加至所述乘積以產生所述經修正溫度，其中所述溫度增益因子及所述溫度偏移因子為使用所述所儲存溫度傳感器增益及偏移修正函數以及所述所量測溫度來判定。
3.如權利要求1所述的用于感測電流的方法，其特征在于，通過所述所量測溫度計算經修正溫度包含：將溫度偏移因子相加至所述所量測溫度以產生一總和，并使所述總和乘以溫度增益因子以產生所述經修正溫度，其中所述溫度增益因子及所述溫度偏移因子為使用所述所儲存溫度傳感器增益及偏移修正函數以及所述所量測溫度來判定。
4.如權利要求1所述的用于感測電流的方法，其特征在于，所述所儲存的溫度傳感器增益及偏移修正函數已在校準程序期間使用回歸擬合函數來判定。
5.如權利要求4所述的用于感測電流的方法，其特征在于，所述回歸擬合函數為線性回歸擬合函數。
6.如權利要求1所述的用于感測電流的方法，其特征在于，計算所述電流包含：使所述所量測RDSon電壓降乘以所述電壓修正因子以產生經修正RDSon電壓降，并使用歐姆定律以通過所述經修正RDSon電壓降計算所述電流。
7.如權利要求1所述的用于感測電流的方法，其特征在于，所述所儲存電壓修正函數已在校準程序期間使用回歸擬合函數來判定。
8.如權利要求7所述的用于感測電流的方法，其特征在于，所述回歸擬合函數為線性回歸擬合函數。
9.如權利要求1所述的用于感測電流的方法，其特征在于，所述所儲存的溫度傳感器增益及偏移修正函數由下述步驟來判定，包含：
在第一溫度下比較所述MOS晶體管開關的第一芯片上溫度傳感器讀數與所述MOS晶體管開關的第一芯片外溫度傳感器讀數；
在第二溫度下比較所述MOS晶體管開關的第二芯片上溫度傳感器讀數與所述MOS晶體管開關的第二芯片外溫度傳感器讀數；
使用至少所述第一芯片上溫度傳感器讀數與所述第一芯片外溫度傳感器讀數的所述比較及至少所述第二芯片上溫度傳感器讀數與所述第二芯片外溫度傳感器讀數的所述比較來擬合回歸擬合函數，所述回歸擬合函數對應于所述所儲存的溫度傳感器增益及偏移修正函數；及
將所述回歸擬合函數儲存于所述MOS晶體管開關的驅動器芯片的芯片內存中。
10.如權利要求9所述的用于感測電流的方法，其特征在于，所述回歸擬合函數為線性回歸擬合函數。
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