[發明專利]耐磨抗靜電抑菌PC復合材料及其制備方法在審
| 申請號: | 201510532364.9 | 申請日: | 2015-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN105176036A | 公開(公告)日: | 2015-12-23 |
| 發明(設計)人: | 劉春艷;王正友;劉藝;林珊珊 | 申請(專利權)人: | 上海中鐳新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C08L69/00 | 分類號: | C08L69/00;C08K9/10;C08K9/02;C08K9/04;C08K7/24;C08K3/36;C08J3/22 |
| 代理公司: | 上海交達專利事務所 31201 | 代理人: | 王毓理;王錫麟 |
| 地址: | 201300 上海市浦東新區宣橋*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 耐磨 抗靜電 pc 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征在于,通過將PC和MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒熔融共混得到,其中:MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒通過將MWCNT‐g‐SiO2‐NH2、DBTO和PC密煉接枝得到。
2.根據權利要求1所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征是,所述的PC和MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒的重量份比例為100:(5‐40)。
3.根據權利要求1所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征是,所述的密煉接枝是指:將PC、MWCNT‐g‐SiO2‐NH2和DBTO投入密煉機進行接枝反應,250‐260℃密煉20‐30min,取出破碎,獲得均勻的MWCNT‐g‐SiO2‐NH2‐g‐PC母粒。
4.根據權利要求3所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征是,所述的MWCNT‐g‐SiO2‐NH2通過以下方式制備:對SiO2進行氨基改性得到SiO2‐NH2,然后加入干燥的醇化改性MWCNT,充分混合后制得MWCNT‐g‐SiO2‐NH2。
5.根據權利要求1或3所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征是,所述的PC、MWCNT‐g‐SiO2‐NH2和DBTO的重量份比例為(90‐100):(40‐50):(0.5‐1.0)。
6.根據權利要求4所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征是,所述的醇化改性MWCNT通過以下方式制備:稱取0.2‐0.5重量份的MWCNT加入50‐200mL乙醇中,超聲振蕩20‐60min,抽濾水洗5‐10次,將產物置于60‐80℃真空箱內烘干,獲得干燥的醇化改性MWCNT,醇化率為60‐90%。
7.根據權利要求4所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征是,所述的SiO2‐NH2通過以下方式制備:稱取2‐5重量份的SiC加入到10‐20mL氨水中,超聲振蕩并磁力攪拌1‐10h,得到SiO2‐NH2,氨基化率為30‐80%。
8.根據權利要求4所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的制備方法,其特征是,所述的充分混合是指:超聲振蕩并磁力攪拌5‐10h,然后抽濾,將SiO2‐NH2和醇化改性MWCNT的混合物置于60‐80℃真空箱內2‐5h,烘干得到MWCNT‐g‐SiO2‐NH2。
9.一種耐磨抗靜電抑菌PC復合材料,其特征在于,根據上述任一權利要求所述的方法制備得到,該耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的抗靜電表面電阻小于1012Ω,48h金黃色葡萄球菌殺菌率大于65%,鉛筆硬度大于HB,溫度300℃、負載1.2kg時的熔指小于15.5g/10min,拉伸模量大于58MPa,彎曲模量大于2252Mpa。
10.一種根據上述任一權利要求中所述的耐磨抗靜電抑菌PC復合材料的應用,其特征在于,將其用于制備上網卡和手機、打印機等的電子電器器械外殼。
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