[發(fā)明專利]一種改善晶圓表面薄膜形貌的半導體等離子處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510527603.1 | 申請日： | 2015-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN105225914B | 公開（公告）日： | 2018-01-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 戚艷麗;楊艷;寧建平 | 申請（專利權）人： | 沈陽拓荊科技有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙)21229 | 代理人： | 甄玉荃,霍光旭 |
| 地址： | 110179 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 表面 薄膜 形貌 半導體 等離子 處理 裝置 | ||
1.一種改善晶圓表面薄膜形貌的半導體等離子處理裝置，其特征在于，包括反應腔室和待處理晶圓，所述反應腔室中設置有進行氣體供給的噴淋頭、承載所述晶圓的載物臺以及用于將所述反應腔室中的氣體抽出的陶瓷環(huán)，所述噴淋頭和載物臺相對設置，陶瓷環(huán)固定環(huán)繞于所述載物臺外圍；
所述噴淋頭上分布有多個通孔，用于氣體的噴淋狀供給，在噴淋頭邊緣通孔的數(shù)量相對于同型號普通噴淋頭進行減少設置；
所述陶瓷環(huán)上設有一圈抽氣孔，抽氣孔外側與抽氣管路連接，所述陶瓷環(huán)上的抽氣孔中心點距陶瓷環(huán)高度中心位置相對于普通陶瓷環(huán)下移3-15mm，工作時，所述反應腔室中的氣體通過所述抽氣孔抽出；
所述噴淋頭邊緣1～5圈通孔進行減少設置；
所述噴淋頭邊緣1～5圈通孔的數(shù)量相對于同型號普通噴淋頭邊緣1～5圈通孔的數(shù)量減少10％-60％。
2.根據權利要求1所述的一種改善晶圓表面薄膜形貌的半導體等離子處理裝置，其特征在于，所述噴淋頭下表面的通孔均勻或非均勻地分布。
3.根據權利要求1所述的一種改善晶圓表面薄膜形貌的半導體等離子處理裝置，其特征在于，所述噴淋頭可與載物臺形成相對電極。
4.根據權利要求3所述的一種改善晶圓表面薄膜形貌的半導體等離子處理裝置，其特征在于，在所述噴淋頭與載物臺形成的相對電極上施加電壓使氣體等離子化，從而對所述載物臺及其所載物進行等離子體處理。
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