[發(fā)明專利]一種用于半導體器件材料吸收系數的光學測量方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510524097.0 | 申請日： | 2015-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN105067529A | 公開（公告）日： | 2015-11-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 封國強;馬英起;韓建偉;上官士鵬;朱翔;陳睿 | 申請（專利權）人： | 中國科學院國家空間科學中心 |
| 主分類號： | G01N21/17 | 分類號： | G01N21/17 |
| 代理公司： | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇楊;呂愛霞 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 半導體器件 材料 吸收系數 光學 測量方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于半導體器件材料吸收系數的光學測量方法，其特征在于，包括：
步驟1)測量半導體器件材料被測位置的厚度d及反射率R；
步驟2)利用能量計分別測量照射于被測位置一面的光能量E1和經被測位置另一面穿透的光能量E2后，計算獲得經被測位置一面反射后入射至材料內的光能量E0＝E1(1-R)，和穿透至被測位置另一面反射前的光能量E＝E2/(1-R)；
步驟3)利用公式E＝E0e-αd計算得到材料的吸收系數α。
2.根據權利要求1所述的用于半導體器件材料吸收系數的光學測量方法，其特征在于，所述的照射于被測位置一面的光采用聚焦激光微束。
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