[發明專利]一種高效快速硅片制絨劑及其制備方法在審
| 申請號: | 201510523725.3 | 申請日: | 2015-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN105133032A | 公開(公告)日: | 2015-12-09 |
| 發明(設計)人: | 郭萬東;孟祥法;董培才;陳伏洲 | 申請(專利權)人: | 合肥中南光電有限公司 |
| 主分類號: | C30B33/10 | 分類號: | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 231600 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效 快速 硅片 制絨劑 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及硅片制絨技術,具體涉及一種高效快速硅片制絨劑及其制備方法。
背景技術
制絨是太陽能電池生產工藝流程中的重要工序,利用低濃度堿性腐蝕液對單晶硅的各向異性腐蝕原理,在硅片表面形成“金字塔”結構,降低硅片表面的反射率,增加光的吸收,降低反射率,提高太陽能電池的轉化效率。目前,常規制絨工藝一般采用氫氧化鈉或氫氧化鉀,并添加適當異丙醇和硅酸鈉的混合溶液進行制絨。現有制絨液使用的異丙醇等成分揮發量大,環保性差,并且使用壽命短,化學品消耗量大,反應可控性低,制絨重復性差,直接影響產品質量。而且,普通的制絨液普遍存在制絨時間較長的問題,無法實現快速高效制絨,生產效率較低。為了解決上述問題,需要開發新的制絨液,提高絨面均勻性,改善制絨效果,提高太陽能電池片的轉換效率。
發明內容
本發明的目的是提供一種高效快速硅片制絨劑。
本發明是通過以下技術方案實現的:
一種高效快速硅片制絨劑,其是由下述重量份的原料制得:
氫氧化鈉1.5-2.5,氟化鈉0.3-0.5,烏洛托品0.2-0.4,二羧甲基丙氨酸三鈉0.1-0.2,絲氨酸1-2,辛基酚聚氧乙烯醚0.5-1,苯甲醇0.5-1,制絨調節劑5-10,卡拉膠0.1-0.2,水100-150;
其中制絨調節劑由下列重量份的原料制成:苯乙烯3-5,甲基丙烯酸甲酯2-4,聚乙烯醇2-4,玉米淀粉1-2,過硫酸鉀0.1-0.2,平平加0.5-1,水80-100;制絨調節劑的制備方法是先將聚乙烯醇和玉米淀粉加入1/2-2/3量的水中50-60℃攪拌1-2h,再加入平平加1000-1500r/min攪拌5-10min,加入苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和過硫酸鉀混合均勻并加熱到85-95℃反應0.5-1h,最后加入剩余的水,攪拌均勻后冷卻,即得。
一種高效快速硅片制絨劑的制備方法,包括以下步驟:
(1)按重量稱取原料,先將氫氧化鈉加入水中完全溶解,再加入氟化鈉、絲氨酸和烏洛托品50-60℃攪拌0.5-1h,然后加入卡拉膠同樣條件下攪拌1-2h,冷卻后過濾,得濾液;
(2)將辛基酚聚氧乙烯醚和二羧甲基丙氨酸三鈉加入(1)中的濾液中60-80℃、500-1000r/min攪拌10-15min,冷卻后再加入苯甲醇同樣轉速下攪拌5-10min,最后加入其余原料攪拌均勻,即得高效快速硅片制絨劑。
本發明的優點是:
本發明引入制絨添加劑,與硅片表面產生吸附作用,提高成核密度,增加反應的各向異性,有利于改善絨面金字塔外形,形成密度大、均勻可控的絨面,提高制絨效率;同時,通過其余原料復配產生協同作用,既能控制硅片在堿液中的腐蝕速度,改善制絨工藝的穩定性,有效提高電池片的轉換效率,又能在硅片上很快形成晶核,提高腐蝕速率,縮短制絨時間,節約生產成本,提高生產效率,產品質量穩定。
具體實施方式
本發明非限定實施例如下:
一種高效快速硅片制絨劑,由下列重量(kg)的組分原料制備而成:
氫氧化鈉2.5,氟化鈉0.5,烏洛托品0.4,二羧甲基丙氨酸三鈉0.2,絲氨酸2,辛基酚聚氧乙烯醚1,苯甲醇1,制絨調節劑10,卡拉膠0.2,水150;
其中制絨調節劑由下列重量(kg)的組分原料制成:苯乙烯3,甲基丙烯酸甲酯2,聚乙烯醇2,玉米淀粉1,過硫酸鉀0.1,平平加0.5,水80;制絨調節劑的制備方法是先將聚乙烯醇和玉米淀粉加入1/2量的水中60℃攪拌1h,再加入平平加1000r/min攪拌5min,加入苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和過硫酸鉀混合均勻并加熱到85℃反應0.5h,最后加入剩余的水,攪拌均勻后冷卻,即得。
高效快速硅片制絨劑的制備方法包括以下步驟:
(1)按重量稱取原料,先將氫氧化鈉加入水中完全溶解,再加入氟化鈉、絲氨酸和烏洛托品60℃攪拌0.5h,然后加入卡拉膠同樣條件下攪拌1h,冷卻后過濾,得濾液;
(2)將辛基酚聚氧乙烯醚和二羧甲基丙氨酸三鈉加入(1)中的濾液中80℃、1000r/min攪拌10min,冷卻后再加入苯甲醇同樣轉速下攪拌5min,最后加入其余原料攪拌均勻,即得高效快速硅片制絨劑。
將單晶硅片浸在上述得到的硅片制絨劑中,在85℃條件下制絨,制絨時間為10min,得到的硅片表面形成尺寸均勻的絨面結構,經檢測金字塔的平均尺寸在1-3μm,反射率為9.7%。
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