[發明專利]一種頻率自適應的可變電容電路

有效

• 申請號: 201510522139.7
• 申請日: 2015-08-24
• 公開（公告）號: CN105162462B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 宋樹祥;李玉龍;蔣品群;岑明燦
• 申請（專利權）人: 廣西師范大學
• 主分類號: H03L7/099
• 分類號: H03L7/099;H03L7/18
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司45107
• 代理人: 歐陽波

1.一種頻率自適應的可變電容電路，包括電容矩陣(C)和MOS晶體管構成的電荷泵模塊，其特征在于：

還包括鑒相鑒頻器、比較器(B)、壓控振蕩器、移位計數器和混頻器,輸入信號f_in和參考信號f_d接入鑒相鑒頻器的輸入端，鑒相鑒頻器的輸出端連接電荷泵模塊的s₀、s₁開關，控制其通斷；電荷泵模塊的輸出端分別連接比較器(B)的輸入端和電容矩陣(C)的輸入端；比較器(B)的輸出端經移位計數器連接電容矩陣(C)的控制端；該移位計數器輸出端還連接混頻器輸入端；電容矩陣(C)的輸出端經電阻R_p產生電容矩陣支路電壓V_cp接入壓控振蕩器的輸入端和比較器(B)的輸入端，壓控振蕩器輸出端連接混頻器輸入端，混頻器輸出端輸出參考信號f_d接入鑒相鑒頻器，鑒相鑒頻器比較參考信號f_d與輸入信號f_in。

2.根據權利要求1所述的頻率自適應的可變電容電路，其特征在于：

所述鑒相鑒頻器包括D觸發器和與門邏輯門。

3.根據權利要求1所述的頻率自適應的可變電容電路，其特征在于：

所述的電荷泵模塊包括3個相同的N型MOS晶體管(N₀、N₁和N₂)，還有2個相同的P型MOS晶體管(P₁和P₂)；其中的第一P型MOS晶體管(P₁)和第一N型MOS晶體管(N₁)串聯，即它們的漏極相連；第一P型MOS晶體管(P₁)和第二P型MOS晶體管(P₂)的柵極相連接并連接第一P型MOS晶體管(P₁)和第一N型MOS晶體管(N₁)的漏極，其接點引出電荷泵模塊的參考電壓V_ref輸出端、接入比較器(B)輸入端；第一、第二和第三N型MOS晶體管(N₀、N₁和N₂)的柵極相連接并連接第一、第二P型MOS晶體管(P₁和P₂)的源極；第一、第二和第三N型MOS晶體管(N₀、N₁和N₂)的源極相連接、接地，并連接電容矩陣(C)的輸出端；所述的第二P型MOS晶體管(P₂)的漏極連接電荷泵模塊的PMOS開關s₀，通過開關s₀和電阻R_p連接到電容矩陣(C)的輸入端；第二N型MOS晶體管(N₂)的漏極連接電荷泵模塊的NMOS開關s₁，通過開關s₁和電阻R_p連接到電容矩陣(C)的輸入端；s₀的活動接點與s₁的固定接點連接，并連接比較器(B)的另一個輸入端。

4.根據權利要求3所述的頻率自適應的可變電容電路，其特征在于：

所述N型MOS晶體管和P型MOS晶體管的溝道寬長比不同，N型MOS晶體管的溝道寬長比與P型MOS晶體管的溝道寬長比的比值為0.2～0.5；在電路正常工作時，流過MOS晶體管漏極電流值均為i。