[發明專利]一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器

有效

• 申請號: 201510522002.1
• 申請日: 2015-08-24
• 公開（公告）號: CN105048274B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 王正平
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01S3/11
• 分類號: H01S3/11;H01S3/109
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 楊樹云

1.一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，包括從左到右依次沿光路安放的半導體激光泵浦源、諧振腔入射鏡、可飽和吸收片、自倍頻激光晶體及諧振腔輸出鏡，其特征在于，所述自倍頻激光晶體為Nd:CNGS晶體或Nd:CTGS晶體，所述Nd:CNGS晶體或所述Nd:CTGS晶體的通光方向長度為0.1-100mm，所述Nd:CNGS晶體或所述Nd:CTGS晶體的切割方向均為沿1064nm倍頻相位匹配方向，所述Nd:CNGS晶體或所述Nd:CTGS晶體的釹離子摻雜濃度為0.1–30at.％。

2.根據權利要求1所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器還包括聚焦系統，所述聚焦系統安放在所述半導體激光泵浦源及所述諧振腔入射鏡之間，所述自倍頻激光晶體安放在所述聚焦系統的焦距上。

3.根據權利要求1或2所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述Nd:CNGS晶體或所述Nd:CTGS晶體的通光方向長度為5-20mm；所述Nd:CNGS晶體或所述Nd:CTGS晶體均為長方體或柱狀；所述Nd:CNGS晶體或所述Nd:CTGS晶體的釹離子摻雜濃度為0.1–2at.％。

4.根據權利要求1或2所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述Nd:CNGS晶體的I類相位匹配的切割角為(θ,φ)，其中，θ的取值范圍為31.6°-41.6°，φ的取值范圍為25.0°-35.0°，所述Nd:CNGS晶體的II類相位匹配的切割角為(θ1,φ1)，其中，θ1的取值范圍為51.5°-61.5°，φ1的取值范圍為-5°-5°；所述Nd:CTGS晶體的I類相位匹配的切割角為(θ2,φ2)，θ2的取值范圍為33.7°-43.7°，φ2的取值范圍為25.0°-35.0°，所述Nd:CTGS晶體的II類相位匹配的切割角為(θ3,φ3)，θ3的取值范圍為56.1°-66.1°，φ3的取值范圍為(-5)°-5°。

5.根據權利要求1或2所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述諧振腔入射鏡鍍到所述可飽和吸收片上，所述可飽和吸收片左側通光端面上鍍有對798-818nm光高透、對1064nm光和532nm光高反的介質膜，所述可飽和吸收片右側通光端面上鍍有798-818nm、1064nm的增透膜；所述諧振腔輸出鏡鍍到所述自倍頻激光晶體上，所述自倍頻激光晶體的左側通光端面上鍍有798-818nm、1064nm、532nm增透膜，所述自倍頻激光晶體的右側通光端面上鍍有對798-818nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。

6.根據權利要求2所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述諧振腔入射鏡鍍到所述可飽和吸收片上，所述可飽和吸收片左側通光端面上鍍有對798-818nm光高透、對1064nm光和532nm光高反的介質膜，所述可飽和吸收片右側通光端面上鍍有798-818nm、1064nm的增透膜。

7.根據權利要求2所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述諧振腔輸出鏡鍍到所述自倍頻激光晶體上，所述自倍頻激光晶體的左側通光端面上鍍有798-818nm、1064nm、532nm增透膜，所述自倍頻激光晶體的右側通光端面上鍍有對798-818nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。

8.根據權利要求2或6所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述Nd:CNGS晶體或所述Nd:CTGS晶體的兩個通光端面拋光后鍍有798-818nm、1064nm、532nm增透膜。

9.根據權利要求2或7所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述可飽和吸收片的兩端面均鍍有798-818nm、1064nm增透膜。

10.根據權利要求1或2所述的一種被動調Q的脈沖式自倍頻綠光激光器，其特征在于，所述半導體激光泵浦源為中心波長為798-818nm的直接輸出半導體激光器或光纖耦合輸出半導體激光器；所述諧振腔入射鏡鍍有對798-818nm光高透、對1064nm光和532nm光高反的介質膜；所述諧振腔輸出鏡鍍有對798-818nm光和1064nm光高反、對532nm光高透的介質膜；所述可飽和吸收片為Cr:YAG晶體、GaAs半導體、石墨烯、MoS₂、WS₂中的任一種。