[發(fā)明專利]傳感器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510518658.6
• 申請(qǐng)日: 2015-08-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105731359B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 池橋民雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00;G01D5/241
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 李光穎;王英

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，公開(kāi)了一種傳感器。所述傳感器包括：基板；第一固定電極，其被布置在所述基板上；可動(dòng)電極，其被布置在所述第一固定電極之上并且能非平行地移動(dòng)；第二固定電極，其被布置在所述可動(dòng)電極之上。所述傳感器還包括檢測(cè)器，所述檢測(cè)器用以檢測(cè)第一電容與第二電容之間的差，其中，所述第一電容是所述第一固定電極與所述可動(dòng)電極之間的電容，所述第二電容是所述可動(dòng)電極與所述第二固定電極之間的電容。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)基于2014年12月26日遞交的在先日本專利申請(qǐng)?zhí)?014-264677，并且要求其優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將該在先專利申請(qǐng)的整體內(nèi)容并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中描述的實(shí)施例總體涉及一種傳感器及其制造方法。

背景技術(shù)

在其中微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)用于檢測(cè)諸如加速度或壓力的物理量的傳感器是已知的。這樣的MEMS傳感器使用半導(dǎo)體微加工技術(shù)來(lái)制造，所述半導(dǎo)體微加工技術(shù)在尺寸減小方面是有利的。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例的一個(gè)目的是提供一種傳感器及其制造方法，所述傳感器的尺寸小且檢測(cè)準(zhǔn)確度高。

一實(shí)施例提供

一種傳感器，包括：

基板；

被布置在所述基板上的第一固定電極；

被布置在所述第一固定電極之上并且能非平行地移動(dòng)的可動(dòng)電極；

被布置在所述可動(dòng)電極之上的第二固定電極；以及

檢測(cè)器，其用以檢測(cè)第一電容與第二電容之間的差，其中，所述第一電容是所述第一固定電極與所述可動(dòng)電極之間的電容，所述第二電容是所述可動(dòng)電極與所述第二固定電極之間的電容。

一實(shí)施例提供

一種用于制造傳感器的方法，包括：

通過(guò)對(duì)第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化來(lái)形成包括第一固定電極的第一層；

在第一層上形成覆蓋所述第一固定電極的第一犧牲膜；

在所述第一犧牲膜上形成第二導(dǎo)電層；

通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化來(lái)形成包括可動(dòng)電極的第二層；

形成覆蓋所述可動(dòng)電極的第二犧牲膜；

在所述第二犧牲膜上形成第三導(dǎo)電層；

通過(guò)對(duì)所述第三導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化來(lái)形成包括第二固定電極的第三層，所述第二固定電極包含到達(dá)所述第二犧牲膜的通孔；并且

通過(guò)所述第二固定電極的所述通孔去除所述第一犧牲膜和所述第二犧牲膜。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性地示出根據(jù)第一實(shí)施例的傳感器的結(jié)構(gòu)的視圖；

圖2是示出用于對(duì)電容的變化ΔC執(zhí)行差分檢測(cè)的電路排布的范例的視圖；

圖3是用于描述根據(jù)第一實(shí)施例的傳感器的特定結(jié)構(gòu)的平面圖；

圖4是沿圖3的平面圖中的線4-4采取的剖視圖；

圖5是用于描述用于制造根據(jù)第一實(shí)施例的傳感器的方法的剖視圖；

圖6是繼圖5之后，用于描述根據(jù)第一實(shí)施例的傳感器的制造方法的剖視圖；

圖7是繼圖6之后，用于描述根據(jù)第一實(shí)施例的傳感器的制造方法的剖視圖；

圖8是繼圖7之后，用于描述根據(jù)第一實(shí)施例的傳感器的制造方法的剖視圖；