[發明專利]容性二極管組件及其制造方法

在審

• 申請號: 201510516281.0
• 申請日: 2015-08-20
• 公開（公告）號: CN105185782A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 周源;張彥秀;韋仕貢;徐鴻卓
• 申請（專利權）人: 北京燕東微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L21/822
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;高青

1.一種容性二極管組件，包括：

第一導電類型的半導體襯底；

位于半導體襯底上的第二導電類型的外延層，第二導電類型與第一導電類型不同；

第一導電類型的隔離區，從外延層的表面穿過外延層延伸至半導體襯底中，從而在外延層中限定第一二極管的第一有源區和第二二極管的第二有源區，并且將第一有源區和第二有源區彼此隔開；

第一導電類型的第一摻雜區，在第一有源區從外延層表面延伸至外延層中；

第二導電類型的第二摻雜區，在第二有源區從外延層表面延伸至外延層中；以及

互連結構，將隔離區和外延層位于第一有源區的部分彼此電連接。

2.根據權利要求1所述的容性二極管組件，其中，所述互連結構包括第一互連引線。

3.根據權利要求2所述的容性二極管組件，還包括：

位于外延層上的絕緣層；以及

第二互連引線，與第一摻雜區和和第二摻雜區電連接，

其中，所述第一互連引線和所述第二互連引線分別穿過絕緣層到達各自的摻雜區。

4.根據權利要求3所述的容性二極管組件，其中，所述互連結構還包括第二導電類型的第三摻雜區，從外延層表面延伸至外延層中，所述第一互連引線與隔離區和第三摻雜區接觸。

5.根據權利要求4所述的容性二極管組件，其中，隔離區包括圍繞第一有源區和第二有源區的周邊部分，以及將第一有源區和第二有源區彼此隔開的中間部分，第三摻雜區橫跨第一有源區和隔離區的周邊部分之間的界面。

6.根據權利要求4所述的容性二極管組件，其中，第三摻雜區圍繞第一摻雜區。

7.根據權利要求1所述的容性二極管組件，其中，第一摻雜區和外延層之間形成第一二極管的PN結，半導體襯底和外延層之間形成第二二極管的PN結。

8.根據權利要求3所述的容性二極管組件，其中，第一二極管和第二二極管采用半導體襯底和第二互連引線反向并聯連接。

9.根據權利要求1所述的容性二極管組件，其中，第一摻雜區的摻雜濃度大于1.0×1018cm-3，第二摻雜區的摻雜濃度大于8.0×1019cm-3。

10.根據權利要求1所述的容性二極管組件，其中，外延層的厚度大于2μm。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的容性二極管組件，其中，第一導電類型為N型和P型之一，第二導電類型為N型和P型中的另一個。

12.一種制造容性二極管組件的方法，包括：

在第一導電類型的半導體襯底上，形成第二導電類型的外延層，第二導電類型與第一導電類型不同；

采用第一摻雜工藝，形成第一導電類型的隔離區，隔離區從外延層的表面穿過外延層延伸至半導體襯底中，從而在外延層中限定第一二極管的第一有源區和第二二極管的第二有源區，并且將第一有源區和第二有源區彼此隔開；

采用第二摻雜工藝，形成第一導電類型的第一摻雜區，第一摻雜區在第一有源區從外延層表面延伸至外延層中；

采用第三摻雜工藝，形成第二導電類型的第二摻雜區，第二摻雜區在第一有源區從外延層表面延伸至外延層中；以及

形成互連結構，所述互連結構將隔離區和外延層位于第一有源區的部分彼此電連接。

13.根據權利要求12所述的方法，其中形成互連結構的步驟包括：

在外延層上形成絕緣層；以及

形成穿過絕緣層的第一互連引線。