[發明專利]一種SrCuSi4O10二維晶體及其制備方法在審
| 申請號： | 201510514948.3 | 申請日： | 2015-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN105129808A | 公開（公告）日： | 2015-12-09 |
| 發明（設計）人： | 郭強兵;劉小峰;邱建榮 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C01B33/20 | 分類號： | C01B33/20 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 srcusi sub 10 二維 晶體 及其 制備 方法 | ||
1.一種SrCuSi4O10二維晶體，其特征是：其分子主要是由Sr、Cu、Si、O原子以1:1:4:10的摩爾配比組成。
2.根據權利要求1所述的一種SrCuSi4O10二維晶體，其特征是：所述的SrCuSi4O10二維晶體是二維層狀單晶。
3.根據權利要求1所述的一種SrCuSi4O10二維晶體，其特征是：所述的SrCuSi4O10二維晶體是由SrCuSi4O10三維晶體使用酸溶液剝離制備得到。
4.一種SrCuSi4O10二維晶體的制備方法，其特征是：使用酸溶液剝離SrCuSi4O10三維晶體，制備得到SrCuSi4O10二維晶體。
5.根據權利要求4所述的一種SrCuSi4O10二維晶體的制備方法，其特征是：
所述的SrCuSi4O10二維晶體是二維層狀單晶。
6.根據權利要求4所述的一種SrCuSi4O10二維晶體的制備方法，其特征是：所述的酸溶液為鹽酸、硝酸或硫酸溶液。
7.根據權利要求4所述的一種SrCuSi4O10二維晶體的制備方法，其特征是所述方法具體是：
1)將SrCuSi4O10晶體加入酸溶液中，水浴中超聲處理30～120分鐘，然后靜置；
2)取上層2/3清液，進行離心處理，離心的轉速為8000～15000轉/分鐘，時間5～10分鐘；
3)去離子水清洗2～3次，得到二維層狀SrCuSi4O10晶體。
8.根據權利要求7所述的一種SrCuSi4O10二維晶體的制備方法，其特征在于：所述的步驟1)中的酸溶液若為鹽酸，其濃度為1～12摩爾/升。
9.根據權利要求7所述的一種SrCuSi4O10二維晶體的制備方法，其特征在于：所述的步驟1)中的酸溶液若為硝酸，其濃度為3～14.4摩爾/升。
10.根據權利要求7所述的一種SrCuSi4O10二維晶體的制備方法，其特征在于：所述的步驟1)中的酸溶液若為硫酸，其濃度為3～18摩爾/升。
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