[發明專利]半導體器件制造方法

在審

• 申請號: 201510514552.9
• 申請日: 2015-08-20
• 公開（公告）號: CN105226066A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發明（設計）人: 葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578;H01L29/10;H01L21/28
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括步驟：

在襯底上形成柵介質層和第一非晶溝道層；

減薄第一非晶溝道層；

刻蝕第一非晶溝道層、柵介質層直至暴露襯底；

在第一非晶溝道層和襯底上形成第二非晶溝道層；

退火，使得第一非晶溝道層和第二非晶溝道層轉變為多晶溝道層；減薄多晶溝道層。

2.如權利要求1的方法，其中，柵介質層包括選自隧穿層、存儲層、阻擋層的多個子層。

3.如權利要求1的方法，其中，第一非晶溝道層選自非晶Si、非晶Ge。

4.如權利要求1的方法，其中，第二非晶溝道層選自非晶Ge、非晶SiGe、非晶SiC、非晶SiGeC、非晶C、III-V族或II-VI族非晶化合物半導體及其組合。

5.如權利要求1的方法，其中，第二非晶溝道層包含摻雜劑，退火激活了所述摻雜劑。

6.如權利要求1的方法，其中，減薄第一非晶溝道層之后、刻蝕第一非晶溝道層之前進一步包括，在第一非晶溝道層上形成保護層，保護層為單層或多層結構。

7.如權利要求6的方法，其中，刻蝕暴露襯底之后、形成第二非晶溝道層之前進一步包括，刻蝕去除保護層。

8.如權利要求1的方法，其中，在襯底上形成柵介質層和第一非晶溝道層包括，在襯底上形成偽柵極堆疊，刻蝕偽柵極堆疊形成垂直襯底的多個溝道溝槽，在每個溝道溝槽中依次沉積柵介質層和第一非晶溝道層。

9.如權利要求8的方法，其中，減薄多晶溝道層之后進一步包括，在多晶溝道層上下兩端形成源漏區，去除偽柵極堆疊，在柵介質層側面形成柵極導電層。

10.如權利要求1的方法，其中，退火溫度為300～850℃，退火時間為1分鐘～10小時。