[發(fā)明專利]用于圖像傳感器件的制造工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510512027.3 | 申請日: | 2015-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN105405853B | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃雙武;劉辰;黃麥瑞;陳潔 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州科陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡;王健 |
| 地址: | 215143 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 圖像傳感器 制造 工藝 | ||
1.一種用于圖像傳感器件的制造工藝,其特征在于:所述圖像傳感器件包括圖像傳感芯片(1)、透明蓋板(2),此圖像傳感芯片(1)的上表面具有感光區(qū)(3),所述透明蓋板(2)邊緣和圖像傳感芯片(1)的上表面邊緣之間具有支撐圍堰(4)從而在透明蓋板(2)和圖像傳感芯片(1)之間形成空腔(13),此支撐圍堰(4)與圖像傳感芯片(1)之間通過膠水層(5)粘合,圖像傳感芯片(1)下表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個盲孔(6),所述圖像傳感芯片(1)下表面和盲孔(6)側(cè)表面具有鈍化層(7),此盲孔(6)底部具有圖像傳感芯片(1)的引腳焊盤(8),所述鈍化層(7)與圖像傳感芯片(1)相背的表面具有金屬導(dǎo)電圖形層(9),一防焊層(10)位于金屬導(dǎo)電圖形層(9)與鈍化層(7)相背的表面,此防焊層(10)上開有若干個通孔(11),一焊球(12)通過所述通孔(11)與金屬導(dǎo)電圖形層(9)電連接,所述支撐圍堰(4)與圖像傳感芯片(1)接觸的表面均勻設(shè)有若干凹孔(14);
所述盲孔(6)由碗狀孔(61)和位于碗狀孔(61)底部的直孔(62)組成,所述盲孔(6)通過以下工藝獲得,包括以下步驟:
步驟一、在所述圖像傳感芯片(1)下表面通過光刻顯影的方式制作一作為掩膜層的光刻膠層;
步驟二、通過北微的DSE200C深硅蝕刻機第一次各向同性干法刻蝕形成碗狀孔,第一次各向同性干法刻蝕工藝參數(shù)為:腔壓90mTorr、SF6流量為800sccm、線圈功率3000W、射頻偏置電壓0W、刻蝕時間180s;
步驟三、通過北微的DSE200C深硅蝕刻機采用第一各向異性刻蝕和第二各向異性刻蝕交替進行,從而在碗狀孔的底部向下形成直孔,第一各向異性刻蝕和第二各向異性刻蝕交替次數(shù)為45~55次,所述第一各向異性刻蝕工藝參數(shù)為:腔壓20mTorr、C4F8流量為200sccm、線圈功率2000W、射頻偏置電壓0W、刻蝕時間2s,所述第二各向異性刻蝕工藝參數(shù)為:腔壓35mTorr、SF6流量為350sccm、線圈功率2500W、射頻偏置電壓23 W、刻蝕時間5.5s;
步驟四、采用丙酮去除作為掩膜層的光刻膠層;
步驟五、第二次各向同性干法刻蝕去除前兩次刻蝕產(chǎn)生的倒角,第一次各向同性干法刻蝕工藝參數(shù)為:腔壓50mTorr、SF6流量為800sccm、O2流量為50sccm、線圈功率4000W、射頻偏置電壓50 W、刻蝕時間120s;
步驟六、在碗狀孔(61)和直孔(62)的側(cè)表面形成所述鈍化層(7);
步驟七、通過激光打孔露出位于底部的引腳焊盤(8),并通過金屬導(dǎo)電圖形層(9)實現(xiàn)引腳和引腳焊盤(8)之間的電接觸連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器件的制造工藝,其特征在于:所述防焊層(10)材料為苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺、感光型環(huán)氧樹脂中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器件的制造工藝,其特征在于:所述鈍化層(7)工藝為旋涂、噴涂、滾涂、絲網(wǎng)印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓、真空壓合中的一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





