[發明專利]校正電路及裝置、溫度檢測電路及方法、測試方法

有效

• 申請號: 201510511595.1
• 申請日: 2015-08-19
• 公開（公告）號: CN106468600B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 唐華;周世聰;荀本鵬;劉飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G01K15/00
• 分類號: G01K15/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種校正電路，其特征在于，包括：轉換單元、分配單元，校正電阻、比較器和至少兩個選擇開關；

所述轉換單元適于輸出表征待測目標的溫度大小的采集電流；

所述分配單元適于根據所述采集電流提供與所述選擇開關數量相同的校正電流，并一一輸出至所述選擇開關的第一端；

所述校正電阻的第一端連接全部選擇開關的第二端和所述比較器的第一輸入端，所述校正電阻的第一端適于提供采集電壓至所述比較器的第一輸入端；

所述比較器的第二輸入端適于輸入基準電壓；

所述校正電阻的第二端接地。

2.如權利要求1所述的校正電路，其特征在于，所述分配單元包括：第一電流鏡電路和第二電流鏡電路；

所述第一電流鏡電路包括：第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏極連接第一NMOS管的柵極和第二NMOS管的柵極后適于輸入所述采集電流，所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的源極均接地；

所述第二電流鏡電路包括：第一PMOS管和至少兩個第二PMOS管，所述第二PMOS管的數量與所述選擇開關數量相同；

所述第一PMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極和電源電壓，所述第一PMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的柵極、第二PMOS管的柵極和第二NMOS管的漏極；所述第二PMOS管的漏極和所述選擇開關的第一端一一對應連接。

3.一種校正裝置，其特征在于，所述校正裝置適于執行第一測試操作，所述校正裝置包括：

權利要求1所述的校正電路；

溫度控制單元，適于在所述第一測試操作中，使所述待測目標的溫度穩定在第一預設溫度，所述第一預設溫度小于所述待測目標的高溫閾值且大于低溫閾值；

第一電壓設置單元，適于在所述第一測試操作中，將所述基準電壓的電壓值設置為與所述第一預設溫度的大小相關；

開關選擇單元，適于在所述第一測試操作中，依次閉合一個或多個選擇開關，使所述采集電壓按照電壓值由大到小或者由小到大的趨勢變化。

4.如權利要求3所述的校正裝置，其特征在于，還包括：

第一確定單元，適于在所述選擇開關中確定第一校正開關，所述第一校正開關為：所述開關選擇單元在所述第一測試操作中依次閉合一個或多個選擇開關時，使所述比較器輸出的比較結果發生跳變的選擇開關。

5.如權利要求3所述的校正裝置，其特征在于，所述校正裝置還適于執行第二測試操作；

所述溫度控制單元，還適于在所述第二測試操作中，使所述待測目標的溫度穩定在第二預設溫度，所述第二預設溫度小于所述待測目標的高溫閾值且大于低溫閾值，所述第二預設溫度與所述第一預設溫度的不相同；

所述第一電壓設置單元，還適于在所述第二測試操作中，將所述基準電壓的電壓值設置為與所述第二預設溫度的大小相關；

所述開關選擇單元，還適于在所述第二測試操作中，依次閉合一個或多個選擇開關，使所述采集電壓按照電壓值由大到小或者由小到大的趨勢變化。

6.如權利要求5所述的校正裝置，其特征在于，還包括：

第二確定單元，適于在所述選擇開關中確定第二校正開關，所述第二校正開關為：所述開關選擇單元在所述第二測試操作中依次閉合一個或多個選擇開關時，使所述比較器輸出的比較結果發生跳變的選擇開關。

7.一種溫度檢測電路，其特征在于，包括：

權利要求1所述的校正電路；

第二電壓設置單元，適于將所述基準電壓的電壓值設置為與所述待測目標的高溫閾值或低溫閾值的大小相關；

第一開關控制單元，適于閉合一個或多個選擇開關。

8.一種溫度檢測電路，其特征在于，包括：

權利要求4所述的校正裝置；

第二電壓設置單元，適于將所述基準電壓的電壓值設置為與所述待測目標的高溫閾值或低溫閾值的大小相關；

第二開關控制單元，適于閉合所述選擇開關中的第一校正開關且斷開其他選擇開關。