[發(fā)明專利]晶體硅太陽能電池及其擴(kuò)散方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510508879.5
• 申請日: 2015-08-18
• 公開（公告）號: CN105070787A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁杭偉;李家蘭;葉雄新;孫小菩;彭華
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/223
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟

1.一種晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：在通入氧氣和氮氣的條件下，將硅片于800～820℃保溫氧化2～5分鐘；

步驟二：在通入擴(kuò)散氮、氧氣及氮氣的條件下，將所述硅片于800～820℃保溫擴(kuò)散10～15分鐘；

步驟三：在通入氮氣的條件下，將所述硅片于860～890℃保溫擴(kuò)散10～20分鐘；

步驟四：在通入氧氣和擴(kuò)散氮的條件下，將所述硅片于810～850℃保溫擴(kuò)散2～8分鐘；及

步驟五：在通入氧氣和氮氣的條件下，將所述硅片于810～850℃保溫反應(yīng)4～10分鐘，經(jīng)冷卻，得到所述晶體硅太陽能電池；

其中，所述擴(kuò)散氮為攜帶有三氯氧磷的氮氣，且步驟四中的所述擴(kuò)散氮的流量小于步驟二中的所述擴(kuò)散氮的流量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟二中的所述擴(kuò)散氮的流量為2000～3500sccm，步驟四中的所述擴(kuò)散氮的流量為1000～1500sccm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟一中，所述氧氣的流量為1000～2000sccm，所述氮氣的流量為18～30slm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟二中，所述氧氣的流量為1000～2000sccm，所述氮氣的流量為18～30slm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟三中，所述氮氣的流量為18～30slm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟四中，所述氧氣的流量為1000～2000sccm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟五中，所述氧氣的流量為1000～2000sccm，所述氮氣的流量為18～30slm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，所述硅片的厚度為170～200微米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟一中，在將所述硅片于800～820℃保溫氧化的步驟之前，還包括將所述硅片插設(shè)于石英舟的槽中，且一個所述槽對應(yīng)一個所述硅片，將插設(shè)有所述硅片的石英舟置于擴(kuò)散爐中。

10.一種由權(quán)利要求1～9任意一項所述的晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散方法制備得到的晶體硅太陽能電池。